实现组件PID合格的工艺研究

主要研究了用在管式PECVD沉积SiO_2-Si_3N_4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响。叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜与常规Si_3N_4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07%,其中短路电流和开路电压提升明显。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜电池的组件可以实现PID合格。     

一种高抗机械荷载PERC单晶硅太阳电池的设计

通过将采用不同电池工艺的PERC单晶硅太阳电池分别进行四点弯曲法测试,选出最优电池工艺,并将采用最优工艺的电池制作成组件,与常规PERC单晶硅光伏组件进行测试对比。结果表明,改良后的PERC单晶硅光伏组件比常规PERC单晶硅光伏组件的抗机械荷载能力强。     

管式炉扩散法制备20％效率的n型双面电池

采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20％的n型双面晶硅太阳电池.制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30％、背面效率为17.59％.硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiOx层,BBr3气氛的高温扩散工艺沉积BSG/SiOx层.电化学电容-电压法测试显示正面硼发射极没有受到POCl3高温扩散的影响.采用电致发光测试方法研究了该n型双面电池的边缘漏电情况.该n型双面电池工艺制作流程采用常规的产线设备,适合大规模生产.     

热氧化SiO_2工艺在硅太阳电池中的应用及研究

采用热氧化法在晶体硅基底上生长SiO_2薄膜,研究了不同厚度的SiO_2氧化层对少子寿命(MCL)、光学吸收及与SiNx体钝化的影响;同时通过理论计算匹配相应的SiO_2/Si Nx叠层膜,得出SiO_2层厚度大约为10 nm,Si Nx膜的理论厚度在60~70 nm之间,折射率在2.1~2.2之间。研究发现SiO_2/Si Nx叠层膜工艺比常规Si Nx工艺太阳电池的能量转换效率(Eta)提升了0.12%,开路电压(Uoc)提高了2 mV,短路电流(Isc)提高了40 m A。     

Sb_2S_3/TiO_2纳米棒的构筑及其在杂化太阳电池中的应用

采用水热法在FTO导电玻璃基底上,制备了一维有序的TiO_2纳米棒阵列。采用化学浴沉积方法在TiO_2纳米棒有序阵列上沉积Sb_2S_3纳米粒子,形成壳核式Sb_2S_3/TiO_2复合纳米棒阵列结构。通过控制化学浴的沉积时间,可以得到不同厚度Sb_2S_3纳米粒子壳层。通过电子扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)、以及紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS)等对样品形貌、结构组成以及光性能进行了测定和分析。最终基于P3HT/Sb_2S_3(3 h)/TiO_2为光电极所组装的杂化太阳电池能量转换效率最高,获得了1.15%的能量转换效率。