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纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微乳化技术制备了铝的纳米氧化物分散液,并将其掺杂到聚酰亚胺基体中,分别制备出质量分数为4%、8%、12%、16%、20%、24%的聚酰亚胺杂化薄膜.利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、热失重分析仪(TGA)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了性能测试和结构表征.结果表明,经铝的纳米氧化物杂化的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能随铝的纳米氧化物掺杂量的增加而提高,当纳米组分的质量分数达到24%时,在60kV/mm的工频电压下,薄膜的耐电晕寿命可达50.7h(IEC343);杂化薄膜的击穿场强随掺杂量的增加而下降;铝的纳米氧化物掺杂量增加可以提高聚酰亚胺薄膜的热分解温度;所掺杂的纳米粒子可以较均匀地分散在聚酰亚胺基体中. 相似文献
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二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷(PTES)为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量(质量分数)的PI/SiO2复合薄膜。分别采用热失重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试。结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜。 相似文献