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综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。 相似文献
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二硒化铼(ReSe2)因具有较好的红外光响应和各向异性特性而成为近年来的研究热点.采用盐辅助化学气相沉积技术,在SiO2/Si衬底上成功合成了大面积的单层ReSe2薄膜,其尺寸达到80μm.采用拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对制备的ReSe2薄膜样品进行了形貌、光谱、厚度和元素成分的表征,结果表明所制备的ReSe2薄膜晶体质量高.基于单层ReSe2薄膜构筑了场效应晶体管,系统研究了其光电特性,结果显示器件的响应时间达毫秒级. 相似文献
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