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纳米氧化铝对硅橡胶空间电荷特性的影响   总被引:7,自引:5,他引:2  
周远翔  郭绍伟  聂琼  刘睿  候非 《高电压技术》2010,36(7):1605-1611
为研究硅橡胶的空间电荷特性,开展了纳米氧化铝对硅橡胶空间电荷行为影响的试验研究。通过制备纳米氧化铝(Al2O3)改性液体硅橡胶,利用电声脉冲法(pulse electro-acoustic method,PEA法)测量了纳米氧化铝质量份数对硅橡胶空间电荷特性的影响规律。根据空间电荷消散过程计算了不同纳米氧化铝质量份数硅橡胶的陷阱深度,并分析了空间电荷对硅橡胶性能的影响机理。试验结果表明随着纳米氧化铝质量份数的提高,相同外加场强下,硅橡胶试品的空间电荷积聚量增加,撤压后消散也更为迅速,迁移率随纳米氧化铝质量份数的提高而增大,陷阱深度则随之逐渐减小。分析认为,空间电荷特性随着纳米氧化铝质量份数的增加而呈现变化归因于纳米界面效应导致的陷阱能级分裂,浅陷阱密度增大,从而使得硅橡胶中空间电荷积聚量减少,消散更为迅速。  相似文献   
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作为北京城最古老的街区之一,南锣鼓巷自古就是皇亲国戚、名流显贵的聚居区。明末降将洪承畴、清代亲王僧格林沁、代理大总统冯国璋、国画大师齐白石、文学家茅盾都曾在这里居住。同时,这里也是末代皇后婉容的娘家,蒋介石也曾在此建造行辕。  相似文献   
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