Si(100)在NaOH/NH4F/Na2CO3体系中的绒面制备

用NaOH/NH4F/Na2CO3溶液体系对单晶硅(100)进行了表面织构.结果发现腐蚀所得表面沟壑纵横,沟壑间是类似金字塔的小凸起.在优化条件下,平均反射率低且不随腐蚀时间的延长而增大,可重复性好,是比较理想的碱腐蚀液.     

Si（100）在碱性氟化物溶液中的腐蚀行为

本文用碱性氟化物溶液对单晶硅（100）表面进行了处理。结果发现其表面完全布满了类似金字塔的小凸起。在整个腐蚀过程中,小凸起随时问的延长变大,但数量却不断减少,这说明部分小凸起的成长是通过其周边小凸起的消亡实现的。在碱性氟化物溶液中,≡Si—H结构是稳定的,腐蚀主要发生在=SiH2或一SiH3的原子阶梯或缺陷存在的粗糙表面处。根据腐蚀速率和表面形貌的变化,我们对整个腐蚀过程作了进一步的阐释。     

CuAlO2陶瓷靶材的制备及其性能研究

以分析纯微米级Al2O3和Cu2O粉体为原料,采用固相烧结法制备铜铁矿型透明导电氧化物CuAlO2陶瓷靶材,通过XRD、R-T和SEM等测试方法对其进行结构和性能表征,研究烧结反应温度及时间对靶材结构、密度、电导率的影响.结果表明:最佳烧结制备CuAlO2陶瓷靶材的试验条件为烧结温度1150℃、烧结时间10h.试验获得...     

PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展

由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入。在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD（Plasma enhanced chemistry vapor deposition）制备SiN薄膜的最佳工艺条件：衬衣温度在360℃左右,射频频率为13．56MHz,射频功率最好在30～20W的范罔,[Sill4：N2]／[NH11]的最佳流速比在4～7之间,退火温度350～400℃最合适,退火时间10s到10min。此外,在总结前人研究的基础上认为SiN薄膜中嵌入Si-ncs将会是提高太阳电池效率的一个方向,还有待于进一步研究。     

铂(Ⅳ)-氯化亚锡-灿烂绿体系光度法测定铂

研究了铂(Ⅳ)-氯化亚锡-灿烂绿体系分光光度法测定铂的最佳条件。结果表明,当2 mol/L HCl用量大于2.5 mL时,在氯化亚锡的作用下,铂能与灿烂绿形成1?2的绿色配合物,其最大吸收波长位于640nm,表观摩尔吸光系数为2.6×104L/(mol.cm)。在此条件下,一般金属离子不干扰测定。铂质量浓度在0~100μg/25mL范围内符合比尔定律。方法用于合成试样的测定,结果满意。     

La1-xCaxMnO3稀土氧化物多晶材料的制备与性能

采用碳酸铵化学共沉淀法在1200℃保温24小时的条件下,制备了x组分为0.2、0.33和0.9的La1-xCaMnO3多晶靶材,通过R-T和XRD测试分析,结果表明化学共沉淀法获得了阻温特性良好(Tm-1为253K、TCR为3.2%)、物相较纯的各组分LCMO多晶材料.随着x组分的增加,Ca掺杂量越大,TCR越大、对应Tp温度越低,LCMO的晶格常数abc线性减小、晶粒尺寸增大.