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AES(Advanced Encryption Standard)是美国国家标准技术研究所NIST旨在取代DES的21世纪的加密标准.详细介绍了AES加密的算法原理,实现了基于FPGA平台AES加密算法的设计与功能仿真.从静态和动态两方面分析了功耗的产生原因,研究了基于FPGA平台的AES加密算法降低功耗的问题,以及随着时钟频率的增加,系统功耗的变化趋势.算法模块占用逻辑资源少,加密效率高,并在保证安全性,和满足应用需求的前提下,实现了平衡数据处理速度和系统功耗这两个重要参数的目的. 相似文献
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直接转矩控制(DTC)理论应用于无刷直流电机转矩波动抑制方面已有了一些研究成果,但与实际工程应用仍有一定的差距。其中一个原因是二二相导通方式无刷直流电机带来的关断相使其磁链的轨迹复杂,导致磁链观察和给定环节困难。结合最佳分时换相策略和DTC的优点,用分时换相策略代替磁链观察环节,同时将直接转矩中的转矩观察用于分时换相时刻的确定,设计出一种结构简单,实用性强的无刷直流电机控制系统。仿真试验结果表明,该系统在电机高速或低速运行时都能达到良好的转矩波动抑制效果。 相似文献
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针对实时操作系统μC/OS-Π的特点和DSP芯片TMS320F2812硬件特性,详细论述了将μC/OS-Π移植到TMS320F2812的过程。并针对运动控制领域,在系统创建并运行多任务,测试移植后的μC/OS-Π在CAN和RS232通信、脉冲信号输出和捕捉、模数转换等方面的性能。测试结果表明,移植后的系统实时性强,可靠性高。 相似文献
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针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。 相似文献
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针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。 相似文献
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