真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性

在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流 ,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性 ;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征。提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程 ,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络 ,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程 ,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为 2 μm。     

采用光学方法研究陶瓷绝缘材料的沿面闪络特性

对比研究了真空中交流电压下采用和未采用真空溅射金属电极的氧化铝陶瓷材料,在沿面闪络发生前不同的表面发光特性。基于固体的能带理论,提出了２类试品在金属电极－介质的界面处不同的能量状态分布模型;并在此基础上同时考虑电荷注入复合和场致电子发射对发光的影响,解释了２类试品发光的差异性,指出了采用和未采用真空溅射金属电极的氧化铝陶瓷存在不同的沿面闪络起始机理及发展过程。