特高压主变充电导致直流周期性换相失败的原因（英文）

换相失败是直流输电系统逆变器最常见的故障之一,通常故障清除后直流系统可以恢复换相,周期性换相失败很少发生,过去国内从未出现过换相失败闭锁直流的情况。通过对林枫直流现场数据的深入分析,得出换相失败持续时间达到保护定值,保护正确动作;而励磁涌流引起枫泾站换流母线电压畸变、阀控VBE对已关断阀执行重触发以及换相失败恢复期间直流电流过冲等因素是导致林枫直流发生周期性换相失败的主要原因。在此基础上,基于电磁暂态程序建立了林枫直流输电研究模型,其中控制保护采用了与实际工程一致的详细模型,通过仿真研究提出了极控系统的改进措施:取消瞬时电流控制、优化换相失败预测和低压限流等功能,最后在林枫直流输电工程中进行了现场验证试验,试验结果验证了所提措施的有效性。     

应变测量仪的自校准电路设计及应用

为解决应变测量仪在使用分流法进行校准时存在的费时耗力效率低下、精度不足等问题,实现应变信号的高精度采集,研究并设计了低漂移、低噪声的自校准电路,程控配置采集通道和校准信号,拟合出采集信号和自校准信号之间的函数关系式,获取校准系数,对应变测量结果进行校正,有效降低应变测量的温度漂移误差和噪声误差,满足应变测量仪精度的指标要求。     

一种抑制同步开关噪声的改进总线翻转编码方法

提出了一种改进总线翻转编码方法,用于抑制高速集成电路系统中的同步开关噪声.该方法可以显著减少总线平均翻转比特位数,同时尽可能使总线相邻位保持奇模传输,有利于改善信号完整性.利用FPGA实现了提出的改进总线翻转编码模块.物理实验表明,相对总线翻转编码,该方法以功耗稍有增加的代价,可取得平均翻转数量减少15.17%、电源波动噪声减小22.34%的编码增益.     

关于建设项目环境管理中防护距离设置的探讨

设置防护距离是建设项目环境管理的重要手段。本文从定义、设置前提、计算方法等角度对比分析环境影响评价过程中采用的各种防护距离依据。针对环境管理中落实防护距离出现的多头管理、三同时落实难度大等问题,提出建设项目防护距离设置原则与建议。     

电解铜箔表面处理技术及添加剂研究进展EI北大核心CSCD

随着5G通讯、新能源汽车等高端产业的发展,对电解铜箔产品性能提出更高的要求。表面处理技术是铜箔生产中极为重要的一项工艺技术,是解决铜箔绿色环保生产和获得高性能电解铜箔的主要途径。本文从国内外铜箔研究现状出发,归纳了包含粗化、固化、合金化、钝化、硅烷化等工艺流程的表面处理技术,并对每道工序中电解液的成分以及电沉积的影响因素进行分类总结,综述了粗化工序中添加剂的分类及研究现状与技术进展,重点阐述了包括晶粒细化剂、整平剂、光亮剂、表面活性剂与无机盐等各添加剂的作用机理及其对铜箔组织形貌和性能变化的影响规律,展望了我国铜箔的发展方向,为我国自主开发高性能铜箔生产技术提供参考。     

楔形刃切削具及其保锐性能

一、保锐现象及其特殊意义我们曾用两种楔形刃硬质合金片(T408和C120)镶焊φ82mm绳索取心钻头(主要用作掏槽刃,也用作扩槽刃)。使用时发现,这类切削具在钻进软和中硬     

虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用

《药品生产质量管理规范》(GMP)课程是高校培养药学及中药学类专业应用型人才重要的专业基础课程之一。但由于GMP教学内容涉及药品生产的多个环节和较多设备及人员管理,GMP实训教学因场地、设备、安全等因素实际很难开展。为了有效开展GMP实训教学,本文对虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用进行了相关探讨。     

脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(I_DS-V_GS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素：M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差V_DS过大,使IGZO膜层内的氧空位V_O⁺在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V_O⁺对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V_O⁺经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的V_DS压差,...