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InP/GaAs低温键合的新方法 总被引:4,自引:1,他引:3
通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。 相似文献
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在从头计算的LMTO—ASA方法中引用Lowdin微扰法,计算了β-SiC晶体的总能E_(tot),平衡晶格常数α_0,体模量B_0,体模量的压力微商B_0~'和能带结构,计算结果与从头计算的赝势法等的计算结果基本相符,与实验值的偏差合理,但计算量小,进一步证明利用微扰计入空d态影响的LMTO—ASA方法是行之有效的方法。 相似文献
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图像特征的CNN提取方法及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
图像特征的提取是视觉图像识别的重要方法之一,采用细胞神经网络(CNN)并行处理器进行图像特征的提取具有实时快速的优点。该文将介绍CNN并行处理器的基本工作原理及其实现图像特征处理的逻辑组合通用方法,并以图像的纹理分割与识别为例来说明CNN并行处理器应用于视觉图像识别的通用编程方法。 相似文献
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