图形衬底上MOCVD生长光学性质改进的GaN

An improved GaN film with low dislocation density was grown on a C-face patterned sapphire substrate （PSS） by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. The vapor phase epitaxy starts from the regions with no etched pits and then spreads laterally to form a continuous GaN film. The properties of the GaN film have been investigated by double crystal X-ray diffraction （DCXRD）, atomic force microscopy （AFM） and photoluminescence （PL）, respectively. The full-width at half-maximum （FWHM） of the X-ray diffraction curves （XRCs） for the GaN film grown on PSS in the （0002） plane and the （1012） plane are as low as 312.80 arcsec and 298.08 acrsec, respectively. The root mean square （RMS） of the GaN film grown on PSS is 0.233 nm and the intensity of the PL peak is comparatively strong.     

基于强化学习和组合式深度学习模型的超短期光伏功率预测

超短期光伏功率预测对光伏并网系统的安全运行有着重要意义.针对传统单一预测模型在进行光伏功率预测时受到功率随机波动性的影响导致预测精度往往不理想的问题,提出了组合式深度学习预测模型.首先,采用小波包分解对原始光伏功率序列进行分解,初步降低了原始光伏功率的非稳定性.其次,在此基础上分别采用长短时记忆网络、门控循环单元与循环神经网络3个单一模型对光伏功率进行预测得到3个预测结果并加权组合.最后,利用强化学习的Q学习算法对组合权重进行优化,进而最大化组合模型的预测性能.以某地光伏电站实测数据进行实验,结果表明文中所提出的组合预测模型优于其他预测模型,并验证了所提模型的有效性.