芳纶织物与氢化丁腈橡胶粘合体系研究

研究了粘合体系、芳纶结构对芳纶织物与HNBR粘合效果的影响。结果表明,优化胶液配方、选择鼓硫硫化工艺和芳Ⅲ芳纶织物,芳纶织物与HNBR的粘合效果较好,耐低温性能优异。     

110kV变电站与电厂并网后的影响及改进措施

分析110kV并网线路的故障,提出一般情况下110kV变电站与电厂并网后,可能对系统造成的影响。以单母线分段接线方式为例进行分析,提出保护及自动装置的具体改进措施,从而避免并网电厂接入变电站后可能造成全站失电的事故。     

深层页岩气双“甜点”参数地震预测技术

要实现页岩气有效建产,首先要存在页岩气的富集区,其次要能对页岩储层进行有效的压裂改造,前者表现为页岩的地质“甜点”,后者则表现为页岩的工程“甜点”,地质工程双“甜点”的预测与评价是页岩气效益开发的基础。为此以四川盆地南部某地区上奥陶统五峰组—下志留统龙马溪组页岩储层为例,根据岩性、电性、生物化石分布规律、TOC变化以及含气性等,将该储层底部优质页岩层划分为9个小层,从下到上编号①～⑨,以三维地震为依托,对该段页岩储层开展地质工程双“甜点”参数地震预测,以评价其勘探开发潜力,以期为页岩气水平井的部署论证及压裂设计提供依据。预测结果表明：①在该区页岩气勘探的初始阶段,地震主要预测页岩气的地质“甜点”,即通过平面上预测的优质页岩厚度、TOC、孔隙度及含气量等参数,结合埋深、构造样式、断裂发育情况等,进行页岩气的分区选带,以明确页岩气富集有利区;②页岩气工程“甜点”参数的运用较为微观,其在地质甜点区的基础上,结合工程施工能力,利用脆性、水平应力差异、裂缝发育情况等因素优选出压裂能产生最好效果的区域和小层,并进一步指导页岩气水平井轨设计以及水力压裂的分段分簇设计。     

广义F-K域插值效果影响因素分析

由于广义F-K域插值方法运算效率高,插值效果好,可以有效控制空间假频,在实际生产中应用广泛。为更好地使用F-K域插值方法,对影响插值效果的几个影响(参与插值的数据密度、插值因子、参与插值的数据量)因素进行了分析,并使用理论资料对影响因素进行了验证。由于算法本身的特点,计算需要设计白噪系数,本文也对白噪系数的影响进行了讨论。通过讨论,为实际生产中采用F-K域插值方法参数的选择提供了理论依据。     

双面PERC单晶硅太阳电池工艺研究

从背面反射率及铝栅线设计两方面对双面PERC单晶硅太阳电池工艺进行了优化,并分析了各因素对其性能的影响,最终得到最优工艺参数。测试结果显示,最优组的双面PERC太阳电池平均正面效率为21.74%,平均背面效率为16.22%,双面因子大于74%。     

磁性壳聚糖微球的制备及其对2，4-二氯苯酚的吸附

采用反相悬浮聚合法合成了磁性壳聚糖微球,平均粒径不超过5μm。将其用于2,4-二氯苯酚的吸附研究。考察了吸附时间、吸附温度、DCP浓度以及磁性壳聚糖用量等因素对氯酚吸附的影响。结果表明,温度对吸附影响不大,最佳吸附时间为2h时,吸附剂磁性壳聚糖微球用量为1g。对DCP的吸附率在80％以上。在最佳条件下的吸附容量为1．70mg／g。     

配电线路异常跳闸分析

1开关异常跳闸现象 北碚电网10kV配电线路在变电站内外设备完好且不存在短路故障的情况下进行开关合闸,但常因过流保护动作跳闸而无法正常送电。现场情况表明,对这类存在开关异常跳闸状况的线路进行合闸送电瞬间,电流表指针往往大幅度偏转,然后又在较短的时间内返回到正常值。合闸冲击电流过大会导致过流保护动作跳闸,更为严重的是,有的线路只能将线路分段后逐段送电。     

四-（4-苯基）卟啉分光光度法测食品中铅

采用分光光度法,研究了铅与meso-四(4-苯基)卟啉(TPP)的配合反应,探讨了加热时间、NaOH用量、Tween-80用量等对配合物的生成及稳定性的影响。确定了反应的最佳条件为:1.4 mL NaOH,1.4 mL TPP,0.8 mL Tween-80,沸水浴中加热20 min。络合物的最大吸收波长为468 nm,当铅含量在0～0.5μg/mL范围时,测得的曲线呈线性关系,服从比尔定律,表观摩尔吸光系数为1.71×105 L/(mol.cm),重复性较好。将该方法用于测定儿童食品中铅的含量,取得了较满意的效果。     

低温暗退火对TOPCon结构钝化性能的影响

n型隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)结构用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备，完成高温快速烧结后，再经过低温暗退火可以极大地提升钝化接触的性能，主要表现在隐含开路电压上升和饱和电流密度下降，其原理是通过低温暗退火的方法激活氢原子，使SiN_x:H中的氢原子向内部扩散，Si-SiO₂界面进一步氢钝化来提高钝化性能。研究结果表明：钝化膜层的质量、暗退火工艺的退火温度和退火时间等对钝化性能提升有很大影响。在最佳退火条件下，获得了6137μs和0.7422 V的高少子寿命和高隐含开路电压，以及3.66 fA/cm²的低饱和电流密度。