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综采工作面设备回撤是矿井生产准备工作的重要环节,设备回撤速度的快慢对能否实现高产高效具有重要影响。综采工作面在回采接近回撤通道的过程中,超前支承压力对回撤巷道和两回采顺槽的影响加剧,回撤巷道和回采顺槽垂直应力增大,巷道变形加剧,极易发生冒顶事故,直接影响设备回撤速度和矿井工作面的正常接替。通过对山西某煤矿工作面回撤过程进行FLAC数值模拟,得到巷道顶板和两帮岩层受力数据及围岩变形破坏特征等,为现场施工提供理论依据及指导,保证回撤工作安全顺利的完成。 相似文献
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随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。 相似文献
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在社会经济与科技飞速进步的背景之下,社会对于人才的需求更加多样化,创新和实践的基础能力训练可以帮助学生快速适应工作需要。利用新媒体技术开展双创活动是一项具有挑战性和前瞻性的工作,高校要能够展开切实分析并做好教育引导与帮扶,利用各项资源逐步开发学生的创新意识和创业能力,满足社会对人才的多样化需求。因此,文章将系统性地介绍新媒体技术的特点和创新创业的意义,通过讨论二者的关系,详细论述高校如何有效开发学生的双创能力。 相似文献
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绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点.设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI (PD-SOI)工艺的数字专用IC (ASIC).针对SOI工艺ESD防护设计难点,进行了全芯片ESD防护原理分析,通过对ESD防护器件、I/O管脚ESD防护电路、电源钳位电路和ESD防护网络的优化设计,有效减小了SHE的影响.该电路通过了4.5 kV人体模型ESD测试,相比国内外同类电路有较大提高,可以为深亚微米SOI工艺IC ESD防护设计提供参考. 相似文献
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