新型PIN阵列探测器

采用将数个PIN探测器叠放在一起形成阵列的方法,研制Φ80mm×800μmPIN新型阵列探测器,该阵列探测器灵敏度比一般PIN探测器灵敏度高一个量级以上,可以近距离直接测量注量率小于1014S-1cm-2的γ辐射,有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该注量率范围内的测量困难.     

分布式脉冲源的产额测量技术

为解决分布式脉冲源的产额绝对测量问题,实验根据脉冲源的分布和相互之间的权重,推出等效距离进行数据处理;蒙特卡罗程序研究不同分布脉冲源的出射粒子在晶体中的沉积能量和穿过晶体面的积分流量,确定它们相互之间的比例关系;实验结果与计算数据进行比较,两者近似一致,验证了实验方法的可靠性.     

ST401塑料闪烁体中子探测效率研究

针对高强度脉冲辐射测量中常用的闪烁体探测器,对其直径为50 mm、厚度分别为5、8、10、15、20、25、30、40 mm的ST401塑料闪烁体进行了DD、DT中子灵敏度刻度,并采用Geant4对其相对中子探测效率进行了模拟研究;并由理论计算给出了直径为90 mm、不同厚度闪烁体的相对中子探测效率,厚度为50 mm、不同直径闪烁体的相对中子探测效率。     

基于泰克TDS684C数字示波器的新时间关联系统

利用泰克TDS684C数字示波器的触发时刻标记作为时间关联的时刻标记,建立一种不要时标注入电路也能够实现时间关联的新系统,这种新系统能够使多路辐射测量信号的时间关联更简单、方便、可靠,本文介绍这种基于泰克TDS684C数字示波器的新时间关联系统构成及应用实例.     

阵列BF3计数器制作与性能研究

设计和实验研制了用于脉冲中子源中子产额绝对测量的阵列BF3 计数器,并在加速器上进行了DT中子灵敏度标定实验。给出了该计数器测量DT脉冲中子产额的测量结果和测量不确定度,并与其它测量方法的测量结果进行了比较。实验验证了BF3 设计的可行性和DT脉冲中子产额测量数据的可靠性。     

新型PIN阵列探测器的灵敏度实验测量

φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度的影响.实验测量结果表明:当探测系统的供电电压在600V至1000V之间时,该阵列探测器的灵敏度波动变化较小;构成探测器阵列的单一PIN探测器数量越多,该阵列探测器的灵敏度越大.该探测器阵列灵敏度大于1×10-14C·cm2.     

长硼计数器测量脉冲中子的漏计数问题探讨

根据BF3的探测原理,中子在聚乙烯的输运过程及管内10B（n,）7Li反应机理,通过大量的测量实验,模拟出脉冲测量中BF3漏计数概率很小的边界条件,该测量方法适合目前脉冲中子装置中的中子产额测量。     

63Cu活化法测量107 DT脉冲中子产额

介绍了用63Cu活化法绝对测量产额在107左右的脉冲中子的实验方法,给出了脉冲产额的计算公式,对其测试系统的DT中子灵敏度进行了标定,给出了脉冲中子产额绝对测量数据,分析了其测量不确定度来源,获得了不确定度为12%(k=1)的实验结果.     

提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究

研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。     

国产LaCl3:Ce探测器裂变γ能区多能量点灵敏度测量

应用⁶⁰Co强γ源进行康普顿散射,再结合0.67 MeV（¹³⁷Cs源）和1.25 MeV（⁶⁰Co源）标准γ源,获得裂变γ能区多种能量γ辐射。以国产掺铈氯化镧（LaCl₃:Ce）闪烁晶体样品配光电倍增管构成快响应闪烁探测器,在这些γ能量下对LaCl₃:Ce探测器灵敏度进行了测量。测量结果表明：以LaCl₃:Ce对0.67 MeV γ的灵敏度为归一基准,LaCl₃:Ce对1.25 MeV γ的灵敏度约为1.28;对尺寸为f40 mm×2 mm的LaCl₃:Ce,能量在0.39～0.78 MeV之间对应的灵敏度最大为1.18,最小为0.96;对尺寸为f40 mm×10 mm的LaCl₃:Ce,最大为1.06,最小为0.98。本测量数据可为理论计算LaCl₃:Ce能量响应定标、校正提供测量数据参考,为获得裂变γ能区LaCl₃:Ce探测器综合灵敏度提供实验数据依据。