基于Evanescent Wave吸收的光纤传感器灵敏度计算分析

基于Evanescent Wave 吸收的U形光纤传感器是比较便于实用推广,可被用于化学传感的新型传感器.对于U形光纤传感器的渐逝波穿透深度和灵敏度进行了计算与分析,并与普通直线传感器做了比较,具体讨论了影响U形传感器灵敏度的几何参数因素和灵敏度优化公式.     

25CrMo4合金结构钢的力—磁效应

为了实现磁记忆检测技术在列车轮对检测方面的应用,需要对轮对所用材料的力—磁效应进行研究。以25CrMo4合金结构钢为例,对其板状试件进行准静态拉伸,通过专用的磁记忆信号采集仪器记录板件在不同载荷下的磁记忆信号,提取各载荷下的信号的常用信号特征,分析了其应力与磁记忆信号的关系。实验结果表明,随着载荷的增加,磁记忆信号随着实验试件的载荷增加而有较大影响。     

浅埋暗挖法地铁隧道地表沉降监测分析

文章采用的案例是某城市在地铁隧道建设中对于现场的地表沉降监测,对于在地铁隧道施工中的浅埋暗挖法所产生的地表沉降的规律进行分析。通过对于案例的总结我们可以得到:(1)在实际施工中监测到的地表沉降的曲线和实际的Logtic数学模拟曲线有着相似的地方;(2)形成地表变形的主要原因是交叉隧道的不断开挖以及反复的地层扰动,文章的研究成果对于浅埋暗挖法地铁隧道合理确定施工顺序、控制在隧道施工中产生的地表沉降具有参考价值。     

β-Ga2O3/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究

氧化镓(Ga₂O₃)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga₂O₃/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga₂O₃薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。     

氧分压对脉冲激光沉积SrTiO_3薄膜性质的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)法在不同氧分压下于LaAlO3(100)基片上成功制备了SrTiO3(STO)薄膜。通过测试,表征了薄膜的微观结构、表面形貌和光学特性。研究表明,对于利用PLD法制备STO薄膜,氧分压是重要的工艺参数。随着氧分压的降低,薄膜的结晶性变好,并发生由立方晶系到四方晶系的形变;氧分压升高,薄膜晶粒尺寸变大、数目变少,薄膜的厚度减小。薄膜在400~2500 nm的可见光和红外波段呈现较低的光学吸收。在5,10和15 Pa氧压下制备的STO薄膜的能隙宽度分别约为3.84,4.13和4.05 eV。这为STO薄膜进一步的制备与分析提供了良好的实验数据支持。     

氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析

射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。     

PbI2对钙钛矿薄膜及太阳电池性能的影响

碘化铅(PbI₂)是两步法制备钙钛矿薄膜最常使用的金属卤化物前驱体,精确控制PbI₂在钙钛矿薄膜中的含量和空间分布以及优化PbI₂薄膜的形貌结构对于制备高效稳定的太阳电池具有重要意义。探索了PbI₂的浓度和退火方式对钙钛矿薄膜及太阳电池性能的影响。研究发现,PbI₂溶液的浓度不仅决定钙钛矿薄膜中PbI₂的含量,也影响钙钛矿的晶粒尺寸、取向及光学吸收等性质,从而导致器件性能的改变,当钙钛矿薄膜表面分布约45%的PbI₂时器件性能更佳。此外,PbI₂的形貌、结晶性和孔隙度受退火方式的影响显著,与溶剂退火相比,通过短暂的1 min热退火制备的PbI₂薄膜更有利于减少钙钛矿表界面缺陷,提升器件的开路电压,最终使器件的基础光电转换效率(PCE)可以提升至20.89%。上述研究结果有助于进一步优化钙钛矿太阳电池制备工艺,提升器件性能。     

温度对液晶5CB拉曼光谱影响的初探

随着对光折变材料的深入研究,液晶的光折变性能受到了广泛的关注。通过测量不同温度下的向列相液晶5CB的拉曼散射光谱发现,随着温度的变化,5CB分子的几个主要振动峰基本上没有发生移动,只是在散射强度上有一些变化,各向同性相和向列相的拉曼散射强度变化比较明显。     

不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及研究

本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯 β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响.X射线衍射(XRD)测试结果表明,Si掺杂β-Ga2O3薄膜都未出现新的衍射峰,随着Si浓度的增加,β-Ga2O3的特征峰(111)逐渐向大角...     

真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析

红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。