国内外电力电子器件发展现状

简要回顾了电力半导体器件的发展历史。对光控晶闸管(LTT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了介绍。指出电力半导体是电力电子技术的基石．离开他们．电力电子技术将是无米之炊。     

矩阵变流器:技术述评

《专家点评》是“电力电子“杂志的重要特色栏目之一。我们将邀请电力电子行业中的知名专家,分别就运动控制、变换电源和电力电子元器件等电力电子主要分支中的某篇关键论文发表点评文章,进行导读,每期一篇。这些论文均由专家推荐,其内容基本上属两大范畴——[前沿]和[经典]。[前沿]介绍当今或今后国际上电力电子技术正在或将要开拓的热点课题,已经取得的成果,尚存的困难与问题,以及最新进展情况和文献。[经典]则是把世界上电力电子技术发展进程中称得上是里程碑式的技术精典论文予以重载,由专家分析这篇论文的主要贡献、对行业发展所起的作用、作者生平简介等。在专家点评文章的后面,我们以附录形式刊出被点评论文的详细译文摘要,以飨读者。希望本栏目能为国内从事电力电子研究、开发、生产、经营、推广的同行朋友,特别是年青科技人员了解前沿动向,了解专业历史提供方便。欢迎读者提出感兴趣的题目,推荐相关论文,以至提供自己的点评文章,我们亦将择优发表,与电力电子领域的同仁共享。《电力电子》编辑部     

直径100mm,耐压5500V硅晶闸管设计要点

介绍了直径１００ｍｍ，耐压５５００Ｖ硅晶闸管设计方面的几个重要问题。文章指出，采用阶梯式扩散杂分布对高压晶闸管是适宜的；并对过去的短路孔直径间距的计算公式提出了修正。实践表明，大面积，高压晶闸管的门－阴极图形结构设计是十分重要的。