组合PIN探测器对γ、中子脉冲辐射补偿效果研究

提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果均达97％以上。     

φ50mm大面积探测器研制

叙述了大面积探测器的设计方法结构特点以及它的用途和发展趋势，简述了探测器的研制工艺，探测器的暗电流测试及探测器的动态参数测试与分析，给出了探测器的静态参数和动态以数测试结果。     

新型PIN阵列探测器的灵敏度实验测量

φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度的影响.实验测量结果表明:当探测系统的供电电压在600V至1000V之间时,该阵列探测器的灵敏度波动变化较小;构成探测器阵列的单一PIN探测器数量越多,该阵列探测器的灵敏度越大.该探测器阵列灵敏度大于1×10-14C·cm2.     

80mm灵敏直径辐射探测器

介绍了灵敏直径80mmPIN辐射探测器的设计方法和结构特点，简述了探测器制作工艺流程，给出了探测器的静态参数测试结果。     

提高电流型PIN探测器灵敏度的方法研究

研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。有效解决了光电探测器和以前国产硅PIN探测器在该灵敏度范围的测量困难。     

φ80mm×800μm硅PIN新型阵列探测器

为了满足在脉冲γ辐射测量中对测量动态范围大、对中子相对不灵敏、而对γ灵敏且γ灵敏度约10-14C?cm2的电流型探测器的要求,介绍一种新型半导体探测器的物理设计思想,提供φ80mm×800μmPIN阵列探测器实物照片和部分性能参数测量结果。结果表明:可以通过改变构成探测器阵列的单一PIN探测器数量,使探测器阵列系统灵敏度在10-15～10-14C?cm2范围附近调节;当供电电压大于600V时,灵敏度已基本稳定;构成阵列探测器的单个探测器数量越多,时间响应波形展宽越多。     

组合PIN脉冲中子探测器的能量响应

组合PIN脉冲中子探测器由一对PIN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和^235U分别作为中子辐射体的组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14MeV中子灵敏度,实验结果与计算符合很好。