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尽管对MgO水合和Mg(OH) 2 分解的动力学已经进行了大量研究,但是在如何控制和减缓MgO水合方面的进展甚微. 在MgO耐火浇注料中,SiO2 是应用最广泛的抗水合添加剂. 硅磷酸盐(含有大量SiO2 且表现出较高的反应活性和溶解性)在MgO颗粒表面较快形成了镁硅酸盐水凝胶,阻止了水镁石形成. 本文研究了市售磷酸盐化学结合剂(与硅灰结合或不结合)在Al2 O3-MgO耐火浇注料(铝镁浇注料)和MgO悬浮液中的抗水合性. 通过热力学模拟、热重分析、X射线衍射、抗拉强度、热膨胀系数来研究添加剂的性能和浇注料的性能特征. 根据模拟的Pourbaix图和Mg、Si的摩尔比,在样品中形成两种不同的液滴[ Mg3 Si2 O5 (OH) 4 和Mg3 Si4 O10 (OH) 2 ] ,会阻止MgO水合. 由于铝镁浇注料中MgO的含量很高(6%),反应过程中类温石棉相[Mg3Si2O5(OH)4]是主要的化合物. 此外,硅灰和磷酸盐添加剂的混合物阻止生成Mg(OH) 2 ,从而制备出高流动性、高机械强度、高弹性模量的浇注料. 相似文献
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碳热还原法制备SiC晶须试验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分别以SiO2微粉、石英砂和高岭土为硅源,用不同粒度的石墨为碳源,Fe2O3、H3BO3和NaCl作为催化剂,采用碳热还原法制备了碳化硅晶须.通过扫描电镜和电子探针分析晶须的形貌和组成,研究了3种硅源、不同种类的催化剂和不同粒度的石墨对SiC晶须生成及形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:选用SiO2微粉作为硅源,H3BO3作为催化剂所合成的SiC晶须生成量和形貌都较好;不同粒度的原料会在反应空间和反应速度上对晶须的生成产生不同的影响,当石墨粒度为100目时效果较好;在晶须的顶端发现催化剂熔球,推测合成机理为VLS机理. 相似文献
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近代上海洗染业在传统手工洗染方式的基础上,结合西方的洗涤机器、化学染料等技术,从最初分散的洗衣作坊、染坊逐步合并成长为现代化的新法洗染店.在上海经历了"西风东渐"的影响后,洗染业整体上也不断得到发展,至20世纪40年代已然达到繁荣规模,并与西服业、百货业等行业的发展紧密联系,成为这一时期上海不可或缺的服务行业.文章从服... 相似文献
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针对“双碳”目标背景下能源安全供应需要煤电兜底保供的问题,对影响煤电生产保供的煤炭价格进行了预测研究。首先,建立了基于布谷鸟搜索算法优化的长短期记忆网络(CS-LSTM)煤炭价格预测模型。模型运用布谷鸟搜索算法对LSTM的学习率和隐藏层神经元个数2个参数进行寻优,完成了参数确定,加强了LSTM的预测能力。其次,建立了煤炭价格预警机制,对煤炭价格的波动做出警示。最后,基于CS-LSTM模型预测了2022年山西电煤价格指数,同时进行了价格预警。实例计算结果验证了所提模型预测精准度和预警机制的有效性。 相似文献
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对SiO2-C-N2系统中的主要化学反应和SiC晶须在该系统中的合成条件进行了热力学分析,采用SiO2微粉为硅源、石墨、活性炭和碳黑为碳源,氧化硼为催化剂,分别在1 500℃、1 550℃和1 600℃利用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过x射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针分析合成晶须的特征.结果表明:在氮气气氛下利用碳热还原反应合成SiC晶须的温度在1 450℃以上,且随着温度的升高,SiC晶须的生成量增多,晶须直径变大;以炭黑和活性炭等较高活性的碳源代替石墨可以使反应速度加快,但合成的SiC晶须较粗甚至生成SiC颗粒;杂质含量较多会使得SiC晶须生成数量降低,同时晶须出现弯曲现象. 相似文献
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氮化硅低温转化合成碳化硅晶须研究 总被引:4,自引:3,他引:1
对氮化硅转化法制备碳化硅晶须的反应过程进行了热力学分析;采用氮化硅为硅源,石墨、活性炭和炭黑为碳源,氧化硼作为催化剂,利用氮化硅转化法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃合成碳化硅晶须,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析合成晶须的特征.结果表明:合成反应在1450℃以上可以发生,且随着温度的升高,平衡常数急剧增加,SiC晶须直径变大;以活性炭和炭黑等较高活性的碳源代替石墨可以提高晶须的质量和生成量,通过对晶须合成过程的分析,推测晶须的生长属于螺旋位错生长机理. 相似文献
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针对“双碳”目标背景下能源安全供应需要煤电兜底保供的问题,对影响煤电生产保供的煤炭价格进行了预测研究。首先,建立了基于布谷鸟搜索算法优化的长短期记忆网络(CS-LSTM)煤炭价格预测模型。模型运用布谷鸟搜索算法对LSTM的学习率和隐藏层神经元个数2个参数进行寻优,完成了参数确定,加强了LSTM的预测能力。其次,建立了煤炭价格预警机制,对煤炭价格的波动做出警示。最后,基于CS-LSTM模型预测了2022年山西电煤价格指数,同时进行了价格预警。实例计算结果验证了所提模型预测精准度和预警机制的有效性。 相似文献
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以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应。计算出气相反应物的过饱和度约为0.005,有利于晶须的生长。 相似文献