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在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明:当膜成分(原子分数,%,下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α′和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最高可达2.38T;而矫顽力Hc下降为89A/m,可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要,N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α′→α γ′的分解,稳定了强铁磁性相α′,是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系:Hc^D∝D^6,晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降。晶界是择优沉淀地点,在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。 相似文献
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含杂质碳氮薄膜的X射线衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
自从Niu等首次获得接近β-C3N4的电子衍射谱以来,许多研究小组都报道说已制备出β-C3N4微晶。但在本实验中发现,当含有铁等杂质时,碳膜和碳氢膜的X射线衍射谱中都出现几条与β-C3N4的理论计算相近的谱线。这提示在β-C3N4的研究中,需要排除杂质的影响,制备出纯净的样品,以便得出明确可靠的结论。 相似文献
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14.5舰用机枪枪机体滞后破坏断口的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
<正> 一、前言 14.5舰用机枪枪机体是致密镀镉部件,轮轴和枪机体的配合有少许过盈量,使紧配合处处于装配应力状态,另一方面由于镀镉渗氢使部件性能变坏,特别是退镉重镀零件,由于氢在零件内积蓄量较多,其性能更差,这种零件库存一定时间后,在紧密配合 相似文献
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研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况.实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1~10 MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求. 相似文献