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1.
2.
以深圳某污水处理厂的紫外线消毒单元为研究对象,跟踪研究了不同紫外线剂量条件下出水的消毒效果及消毒后粪大肠菌群的复活情况。结果表明:该厂紫外线设备消毒效果良好,在出水水量和水质正常的情况下,出水粪大肠菌群数均小于104个/L,当照射剂量大于51mJ/cm2时,出水粪大肠菌群数小于103个/L;进水粪大肠菌群数、出水浊度和紫外光强对出水粪大肠菌群数均存在影响,在紫外线剂量为36mJ/cm2左右时,出水浊度和紫外光强是影响消毒效果的关键,浊度小于3.5NTU、紫外光强大于90%时,能达到排放要求;当紫外剂量达到44mJ/cm2左右,出水浊度小于5.0NTU,紫外光强大于83%时,出水粪大肠菌群均在3 500个/L以下;经55mJ/cm2紫外照射剂量条件下的水样,以日光灯为光源照射9h后,粪大肠菌群由490个/L复活后达到16 000个/L,以室内自然光照射9h后,粪大肠菌群由490个/L复活后达到1 300个/L;紫外线消毒的运行成本为0.019 4元/m3。 相似文献
3.
臭氧接触装置的传质与吸收试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
根据对臭氧接触反应装置影响吸收与传质的主要因素进行的试验研究,归纳出不同孔径扩散器气泡直径与空塔气速关系的经验公式,并对进气中臭氧浓度,鼓泡塔的水力停留时间,水深与臭氧中吸收率的关系进行了试验和分析。 相似文献
4.
本文以共轴流微通道芯片为研究对象,采用分散相为氩气、连续相为十二烷基硫代硫酸钠(SDS)的水溶液,在400μm×600μm矩形通道内形成气液两相流。改变表面活性剂的浓度,观察表面张力改变下流型的变化趋势,绘制出以连续相毛细数为横坐标、分散相韦伯数为纵坐标的流型分布图。实验得到滴流、滴状射流、弹状流、环状流的四种流型。随着表面张力减小,弹状流与环状流之间的边界向右移,滴流与射流之间的向边界右移。弹状流与滴流、射流之间的边界向右移不明显。 相似文献
5.
时空轨迹数据的获取变得越来越容易,轨迹数据刻画了移动对象的行为模式与活动规律,是对移动对象在时空环境下的移动模式和行为特征的真实写照,在城市规划、交通管理、服务推荐、位置预测等领域具有重要的应用价值。这些过程通常需要通过对时空轨迹数据进行模式挖掘才能得以实现。简述了轨迹数据挖掘的预处理和基本步骤,归纳了异常轨迹检测方法的分类,分析、总结了近年来基于轨迹数据的四种模式挖掘,从管理决策角度对轨迹数据挖掘进行相关综述和分析,有望为轨迹数据的模式挖掘与管理决策提供必要的文献资料和理论基础。 相似文献
6.
采用混凝/浸没式超滤组合工艺对深圳某原水进行中试研究,从有机物去除和膜污染控制两方面对聚合氯化铝(PAC)投加量和膜池曝气强度进行了优化。结果表明,膜池气水比为12∶1,PAC投加量为0、3、4 mg/L时,Zeta电位绝对值逐渐减小,颗粒数和COD Mn去除效果增强,继续增加PAC投加量到5 mg/L,则Zeta电位绝对值增大,颗粒数和COD Mn去除效果变差。PAC投加量为4 mg/L,膜池气水比为(7.5∶1)、(9∶1)、(12∶1)时,Zeta电位绝对值逐渐减小,颗粒数和COD Mn去除效果逐渐增强,继续增大气水比到15∶1,则Zeta电位增大,颗粒数和COD Mn去除效果变差。PAC的投加和膜池曝气可减缓不可逆膜污染,增加PAC投加量可提高DOC去除率,降低单周期TMP增幅;提高曝气强度会降低DOC去除率,降低单周期TMP增幅。 相似文献
7.
采用滤布滤池对南方某城市污水处理厂二级出水进行强化除磷中试研究,以达到中水回用的目的。试验选用氯化铁(FeCl3)、聚合氯化铝铁(PAFC)、聚合氯化铝(PAC)作为强化滤布滤池除磷效果的混凝剂。当不投加混凝剂时,滤布滤池对TP和浊度的平均去除率为28.76%和50%,且对TP去除效果受进水水质影响较大;当投加氯化铁、聚合氯化铝铁与聚合氯化铝强化滤布滤池时,滤布滤池对TP的平均去除率分别为63.58%、60.13%和66.94%,对TP去除效果受进水水质影响较小,对浊度平均去除率分别为37.8%、67.6%和79%。 相似文献
8.
深度处理工艺由于其技术优越性正在成为技术改造的主要工艺,其主要目的有两个层次在水源污染的条件下,使处理后的各项水质指标达到我国现行水质标准;针对经济发达城市和地区进一步提高水质迫切要求,在满足标准基础上,使饮用水浊度更低、有机物更少、口感更好。 相似文献
9.
10.
采用TO220封装的电子元件,研究了在温度循环条件下,元件Cu引脚上纯Sn镀层的Sn须生长行为.研究发现,Sn须在温度循环条件下的生长呈现出较高速率、较高密度、较一致长度的特点.随着温度循环次数的增加,Sn须密度和长度不断增加;与此同时,镀层表面Sn须的附近区域出现凹坑.研究表明,Cu-Sn金属间化合物的生长速率很快,使得镀层内部压应力增大,Sn须生长驱动力增加;同时,不同材料热失配产生的低周疲劳热应力,为Sn须的生长提供了额外的驱动力.此外,交变的热应力更容易破坏表面氧化膜促进Sn须的生长.满足应力条件和取向条件的晶粒首先发生Sn须生长,高密度的Sn须生长诱发部分晶粒发生向内的变形,在镀层表面形成大量的凹坑. 相似文献