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随着微电子器件及先进制造技术的快速发展,薄膜材料正成为21世纪备受关注的热点技术领域。为了促进海峡两岸薄膜材料研发与应用的共同发展,经中国机械工程学会表面工程分会与台湾镀膜科技协会多次协商并一致同意,定期举办两岸薄膜材料学术研讨会,有助于两岸科技界与产业界的交流与沟通。 相似文献
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Structural and magnetic properties of Fe-25Cr-12Co-1Si alloy thermo-magnetically treated under different external magnetic field conditions were investigated. Orientation and morphology of the ferromagnetic α1 phase embedded in α2 phase matrix before and after step ageing are characterized by transmission electron microscope(TEM). The results show that the ellipsoidal particles of ferromagnetic al phase are aligned along the direction of external magnetic field during isothermal magnetic ageing. Approximately 28% of the total coercivity can be attributed to the shape anisotropy of al phase particles induced by external magnetic field for Fe-25Cr-12Co-1Si alloy thermo-magnetically treated with a parallel magnetic field. 相似文献
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磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对降低晶圆及半导体工艺成本至关重要。制备大尺寸InP单晶的主要难点是提高晶体的成品率和降低晶体的应力。目前行业内通常使用垂直梯度凝固(Verticalgradient freeze, VGF)法和液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski, LEC)法制备InP。VGF法在制备6英寸(15.24 cm)InP方面鲜有建树, LEC法制备的晶体往往具有更高的应力和位错密度。本研究展示了半密封直拉(Semi-Sealed Czochralski,SSC)法在生长大直径化合物半导体材料方面的优势,采用数值模拟方法分析了LEC法和SSC法中熔体、晶体、氧化硼和气氛中的温度分布,重点分析了SSC技术的温度分布。模拟结果中, SSC法晶体中的温度梯度为17.4 K/cm,明显低于LEC法中的温度梯度28.7 K/cm。... 相似文献
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