机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。     

铜铟铋硫对Sn-Ag基无铅焊料性能的影响

研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn-Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu三元合金成分为95.5%Sn3.5%Ag1%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn-Ag合金的熔点和改善铺展性能;随w(Bi)的增加Sn-Ag-Bi三元合金的熔点降低、铺展性变好;Sn-Ag合金的熔点随w(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn-Ag合金的铺展性。     

热处理对球磨LaNi5-15%Mg合金相组成及热稳定性的影响

采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、示差热分析仪(DTA)研究了热处理对球磨LaNi5-15%(质量分数,下同)Mg合金的组织形貌、结构变化及热稳定性的影响.结果表明,经250r/min球磨250h,样品由La、Mg、Ni非晶体及微量的晶体Ni、MgNi2组成,其DTA曲线上只出现了一个峰值温度为564.0K的放热峰.球磨粉末为规则的球形或近球形,颗粒直径范围为0.05～9.00μm,其中94%的颗粒尺寸为0.05～1.00μm;经763K×35天热处理后,样品由具有纳米尺度的MgNi2、LaMg2Ni9、Mg2NiLa三相组成,其平均晶粒直径为21.7nm,热处理样品的DTA曲线上没有吸热或放热峰出现,具有较好的热稳定性能.     

VARIATION OF Sb CONCENTRATION IN MELT DURING GROWTH OF HEAVILY Sb-DOPED Si SINGLE CRYSTAL

本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致。结果表明,减压拉晶能有效地控制拉晶过程中由于溶质分凝造成的熔体内Sb浓度的增加,从而能大大地推迟“析出”。当炉膛压力大约减至2.7kPa时,能保持熔体中Sb浓度几乎不变。     

高能球磨LaNi5-34%(质量分数)Mg的相组成与热稳定性能

采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DTA)等方法研究了高能球磨及热处理等对新型合金LaNi5-34％(质量分数)Mg的相组成、形貌及热稳定性能等的影响。结果表明：经100r／min球磨100h及190r／min球磨100h后,样品由La、Mg、Ni等非晶。微量的晶体Ni和MgNi2相组成,所得粉末的形状大多为规则的球形或近球形,其颗粒直径范围为0．05～33．0μm。球磨样品具有较好的室温活化特性，其最大电化学放电容量为460mAh／g。该样品经763K保温35d后，得到热稳定性较好的具有纳米尺度的MgNi2、Mg2Ni、Mg2NiLa三相组织，其平均晶粒直径为21.3nm。     

添加钕对Mg2Ni储氢合金的结构和电极性能的影响

利用两步法制备了一系列添加Nd的三元Mg2-xNdxNi合金。XRD分析证实，当x=0．05，0．1时，制得的三元Mg2-xNdxNi合金均为Mg2Ni单相合金；三元Mg18Nd0．2Ni(x=0．2，0．3)合金为三相合金，三相分别为Mg2Ni，NdNi，NdMgNi4。模拟电池测试结果表明，同Mg2Ni合金相比，球磨10h的三元Mg1．8Nd0．2Ni合金和Mg17Nd03Ni合金电极的放电容量提高明显，且Mg17Nd03Ni合金电极的循环性能有明显改善。这极有可能与合金中NdMgNi4相的存在以及球磨形成的微结构有关。     

退火温度对硅基铁电薄膜Bi_4Ti_3O_(12)晶相结构的影响

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备铁电Bi4Ti3O12 (BIT)薄膜,研究退火温度对其微观特性的影响,以掌握制备工艺中最佳退火温度。研究表明,随着退火温度的增加,BIT薄膜的c轴取向生长更明显,晶粒尺寸增加,同时表面粗糙度增加;从退火750℃开始,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显。退火时间对薄膜的相结构和生长取向没有明显影响。     

压力和温度对Al—Cu—Fe系准晶合金相变的影响

利用Ｘ射线衍射、透射电镜等手术研究了高压下Ａｌ６５Ｃｕ２０Ｆｅ１５等快速凝固粉末中准晶及晶体相的相变问题，在８００℃，６ＧＰａ条件下，准晶粉末中的晶体相基本上转变为二十面体准晶相，在常压下，准晶相在高温转变为晶体相，夺对相变热力学有显著影响。     

液相共沉淀法制备BaPbO3导电陶瓷的研究

利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC)特性     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.