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本文对制备(Pr_xSm_(1-x))Co_5磁体各种操作参数作了研究,研究的参数包括钐、镨比,烧结温度和时间,取向和致密条件,被研究的所有合金名义含钴量为63%(本文均指重量百分数)总稀土含量为37%量级,被研究的成分包括:20.7%Pr—16.3%Sm,20.7%Pr—15.8%Sm;20.35%Pr—16.30%Sm,24.67%Pr—12.33%Sm。以及27.75%Pr—9.25%Sm,烧结温度在10(?)5(?)至1140(?)变化,而烧结时间是30分或60分,所用取向场为10千奥和36千奥,致密工序是在模具中轴向压制或使用等静压,虽然依本文所得最佳磁体磁能积为22.6兆高奥,然而,使用单轴模压,在压制方向上仅用10千奥取向场,得到磁体的磁能积为19.4兆高奥,此结果也许更有意义。 相似文献
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业已发现溅射的非晶Gd-Co和Gd-Fe膜具有垂直磁各向异性。退过磁场的磁畴结构由带状畴组成,泡畴在外场下成核。控制溅射条件,获得了各种各样磁性能的膜。 相似文献
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在国际单位制(SI)的单位中,为纪念在某学科领域内卓有成就的科学家和使用上的方便,经历届“米制公约”成员国(我国于1977年加入)代表组成的政府间的国际计量大会通过采用,有十八个单位是以科学家的姓氏名字命名的。现简介如下:安培(A)——电流的单位名称。安德烈·玛丽·安培(André MarieAmpère,1775—1836),法国物理学家。 相似文献
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业已制成磁能值为9.3兆高奥,内禀矫顽力为7千奥的烧结的定问的Co_(3.8)Cu_(0.9)Fe_(0.5)Ce恒磁。制备所用的取问场,紧密压力,烧结温度和磁化场都比较低。该磁体具有精细的,晶粒各个方向一样大小的微结构,且无裂缝,机械强度高。 相似文献
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业已观察到在(Pr,Sm)Co_5恒磁体中内稟矫顽力与钐含量的关系甚为密切。这些磁体的名义上钴的含量占63%。稀土含量的范围为20.70%Pr-16.30%Sm到27.75%Pr-9.25%Sm,在此范围内对五种钐、镨含量不同的成分作出了研究(本文所指含量均指重量百分数)。每种成分均作了烧结温度的改变,但烧结时间是不变的,为30分钟,烧结时得到的最大内稟矫顽力随钐含量的增加迅速增加,由9.75%钐合金时的2,600奥增至16.3%钐合金时的22,400奥。 相似文献
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微波集成电路不同于其它集成电路,因为微波频率所需某些功能器件简直无法用扩散工艺制成,其中之一便是铁氧体环流器,因此微波集成电路通常很象小型低频混合接头。通用的环流器有某些因素限制着微波集成电路尺寸和性能,通常带状传输线器件限制频率至超高频波段,与电路其余部分比较,其体积也比较大,通常还必须将它外接。当前贝尔电话试騐室研究人员R.H.Knerr研制了一种集成化集中参数环流器,它 相似文献
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本文对于通常助熔剂生长单晶中扩散及对流作用与加速坩埚转动工艺的强搅拌效应作了比较。加速坩埚转动工艺给出在晶体生长表面上溶液的快速流动。利用这一条件以及溶液均匀化从而解决了助熔剂生长中存在的很多问题。使用加速坩埚转动工艺並结合局部冷却可在密闭坩埚中控制成核。已长出供固态物理和技术应用的大块无包杂晶体。 相似文献