Characterization of CuInS2 thin films prepared by sulfurization of Cu-In precursor

CuInS2 thin films were prepared by sulfurization of Cu-In precursors. The influences of the deposition sequence of Cu and In layers, such as Cu/In, Cu/In/In, and In/Cu/In, on structure, topography, and optical properties of CuInS2 thin films were investigated. X-ray diffraction results show that the deposition sequence of Cu and In layers affects the crystalline quality of CuInS2 films. Atomic force microstructure images reveal that the grain size and surface roughness are related to the deposition sequence used. When the deposition sequence of precursor is In/Cu/In, the CuInS2 thin films show a single-phase chalcopyrite structure with （112） preferred orientation. The surface morphology of CIS films is uniform and compacted. The absorption coefficient is larger than 10^4 cm^-1 with optical band gap Egclose to 1.4 eV.     

载气流量对CIS薄膜性能的影响

采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2（CIS）薄膜。研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响。用扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释。结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构。检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型。     

氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响

采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜（SEM）和能量色散谱仪（EDS）研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪（XRD）表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱（AES）对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。     

球磨时间对FeSiAl磁粉的扁平化和磁性能的影响

采用湿法滚动球磨工艺对FeSiAl磁粉进行扁平化处理,通过绝缘包覆工艺对粉末进行改性制备成浆料,并经过涂布和层压工艺制备成吸波片样品。研究球磨时间对粉末粒度、形貌和物相的影响,进而对所制备的吸波片的电磁参数和吸波性能进行分析评价。研究结果表明,FeSiAl磁粉经搅拌球磨5~10h后,D50由45μm增大到53μm,片厚由4μm减小到2μm,有较好的扁平化效果,且扁平化充分的磁粉有较好的电磁波吸收特性。XRD分析表明球磨工艺没有改变FeSiAl粉末的相结构。随着球磨时间延长,大长径比的磁粉所占比重增加,磁导率实部和虚部均增大,当球磨10h时,-200~+270目磁粉在13.56MHz磁导率实部达到69,虚部达到18。     

氩气压力对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

在普通玻璃衬底上利用掺杂2%(质量)Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力(0.73～2.0 Pa)对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响.随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋...