在二维坐标系下的一般经典哈密顿系统的正则变换和对应于它的量子幺正变换

讨论了与线形正则变换相关的二维一般哈密顿系统。并利用幺正变换计算了变换后和变换前的薛定谔方程之间的关系。     

金刚石膜的拉曼光谱研究

研究了利用微波等离子体化学气相沉积方法制备的金刚石膜的拉曼光谱,讨论了金刚石膜中的非金刚石碳相与甲烷浓度、基板温度之间的关系。     

恒定电压下微弧氧化陶瓷膜电学性质的研究

利用自制的数据采集系统研究了恒定电压下铝合金交流微弧氧化陶瓷膜形成过程中电学性质的变化规律.实验结果表明,微弧氧化过程中阴、阳极的峰值电流明显分为5个不同阶段;陶瓷膜形成过程中的动态正向电阻和电阻率随处理时间分阶段变化,而动态的反向电阻和电阻率变化不大.在微弧氧化过程中,各时刻的动态正、反向电阻值不同,一般情况下,动态正向电阻远大于反向电阻.     

工作气压对TiO2薄膜结构的影响

用射频磁控溅射方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了TiO2薄膜，Raman光谱测量表明，工作气压从0．2Pa变化到2Pa时，TiO2薄膜的结构由金红石相变化到锐钛矿相，厚度对TiO2薄膜结构没有明显影响．     

Li3N在低压合成BN中的作用

研究了Ｂ４Ｃ和ＮＨ４Ｃｌ在常压高温反应中Ｌｉ３Ｎ的催化作用。ＸＲＤ测量结果表明,在Ｎ２和ＮＨ３气氛条件下,Ｌｉ３Ｎ在反应过程中对ｈ－ＢＮ的生成起到了重要的催化作用。     

基底偏压对BN薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼薄膜(BN)．通过分析电流密度-电场强度曲线，发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压影响很大，基底偏压为-140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其它样品，阈值电场低于8V／μm．F-N曲线表明：电子是通过隧道效应克服BN薄膜表面势垒发射到真空的．     

电子—电子,电子—电子耦合对Grueneison常数的影响

根据文献［１］，定量地讨论了电子－声子耦合、电子－电子交换作用对Ｇｒｕｅｎｅｉｓｏｎ常数的贡献。