化学发光反应Ba+N_2O产物BaO A~1Σ~+v｀=1→0的弛豫速率和 v｀=0的猝灭速率

我们在热管炉反应器中作了Ba/N_2O的化学发光反应,记录并分析了产物BaO(A~1∑~+→X~1∑~+)的化学发光光谱。计算了温度为993K,Ar压为0.5、2.5、5、12和24托时反应产物BaO A~1∑~+,v'=0—8的相对布居。发现,v'-1、3、6和7有异常高的布居,而 v'=0的布居极低,证明 BaO A~1∑~+态不是化学反应产物的“先驱态”以及此态存在强的微扰。根据反应的特点,建立了在具有足够量缓冲气体时 Ba/N_2O反应产物 BaO A'∑~+v'=0的布居速率方程,求得在氩气中(993K)BaO A'∑~+v'=1→0的弛豫速率常数 k_(1-0)~(Ar)为2.74×10~5托~(-1)·秒~(-1)和 v'=0的电子猝灭速率常数 k_Q~(Ar)为4.59×10~3托~(-1)·秒~(-1),在氮气中(993K)相应速率常数 k_(1-0)~N_2和 k_Q~N_2分别为5.60×10~5托~(-1)·秒~(-1)和4.09×10~(-4)托-1·秒~(-1)。在氮气中传能速率要比在氩气中的大,这是因为氮具有内自由度,使传能中能量转变为平动能的数值△E减小(传能速率随△E指数下降)。     

新型高性能调频发射机的研究

介绍了一种全新的FM调制器结构.该调制器基于小数分频锁相环技术,并在电荷泵单元中引入额外偏差电流消除电荷泵失配对带内噪声的影响.该芯片采用CSMC 0.5μm DPTM CMOS工艺,测试结果表明,其SNR≥82dB,THD≤0.08,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz.此外,该芯片还采用自动频率调整的方法避免调节片外电感.该芯片的这些特点十分适合调频发射的要求.     

利用激光泵浦测量传能反应Xe(~3P_(0,2)) N_2的绝对截面

在束-气池构型下用脉冲激光泵浦技术测量了亚稳态Xe(~3P_0)和Xe(~3P_2)与N_2传能生成N_2(B,v)的绝对截面.并讨论了该方法在研究亚稳态原子传能及反应中的适用性.     

一种低带内相位噪声的立体声FM合成器

研制一种低带内相位噪声的立体声FM频率合成器,该合成器基于小数分频锁相环技术,利用闭环方式对载波信号进行调制,显著提高系统的THD。采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺对其设计,系统测试结果表明,立体声解调后SNR>70dB,THD<0.08,立体声分离度>40dB,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz。以上这些特性完全符合立体声发射机的要求。     

自适应滤波器的FPGA实现

本文采用自上而下的设计思想,用FPGA实现了自适应滤波器.自适应滤波器选择FIR滤波器结构,采用了改进的LMS算法,从而使得在同样的硬件资源下滤波的速度可提高一倍;本论文用VHDL编写代码,用MaxplusII进行编译、综合和仿真,FPGA器件选用ALTERA公司的FLEX10K系列3万门的芯片,综合结果显示,所设计的自适应滤波器使用FLEX10K30的70%的资源;对综合后的网表进行了仿真,当时钟周期取40ns时,滤波器仍能够很好地消除噪声.     

一种用于100/1000 Base-TX收发器的模拟均衡器和基线漂移消除电路

提出了一种用于100／1000 Base-TX收发器的频域均衡器和新颖的基线漂移消除电路．均衡器采用混和信号模式的自适应控制环路,系统优化使其性能不依赖于信道模型的精确性,控制环路稳定可靠,该均衡器还同时实现自动增益控制功能;基线漂移消除电路采用峰值检测器监测基线漂移,用负反馈思想实现漂移量的消除,消除精度高,性能可靠．电路采用0．25μm CMOS工艺进行了硅片验证,与文献结果相比,本文方案在性能和芯片面积上均具有明显优势．     

一种低功耗高频CMOS峰值检测电路

给出了一个低功耗、高频CMOS峰值检测电路,可以用于检测射频信号和基带信号的峰值.该电路的设计基于中芯国际0.35μm标准CMOS工艺.理论分析和后仿真结果都表明,在工艺偏差以及温度变化条件下,当输入信号幅度在400mV以上时检测的误差小于2%,检测带宽可达10GHz以上,整个检测电路的静态电流消耗低于20μA.     

浅析中小型房地产开发公司工程系统组织结构

为了发挥中小型房地产企业机制优势 ,必须建立与之相适应的房地产开发公司的工程系统组织结构 ,矩阵式组织是较好的选择。建立设计联盟是提高设计效率、把握设计质量、推进施工进度的较好措施     

适合硬件实现的自适应滤波算法

文章给出了一种适合硬件实现的自适应算法——改进的LMS算法。对算法的收敛性进行了详细的证明，并使用C语言验证了该算法与基本LMS算法的收敛速度是相同的。