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张浩邓金祥孔乐李瑞东潘志伟白志英 《真空科学与技术学报》2018,(5):427-433
综述了β-Ga_2O_3纳米线的研究进展,包括纳米线的制备工艺、生长机理、掺杂研究以及催化剂的生长,介绍了β-Ga_2O_3纳米线在日盲探测器和气敏探测器领域的研究现状,讨论了目前存在的难题及以后研究的方向。 相似文献
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李瑞东 《河南水利与南水北调》2023,(1):115-116
以某水库工程为例,在概述水库建设概况的基础上对扬压力异常问题进行描述,并针对测压管UPR-1损坏以及重新埋设测压管后测值异常的原因展开分析。根据渗流有限元计算结果,坝基防渗帷幕运行异常以及坝基内部存在渗漏通道、局部强透水带是引起重新埋设测压管后扬压力测值异常的主要原因。分析结果为该水库大坝坝基防渗帷幕结构体的加固补强提供了依据。 相似文献
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氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga2O3/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga2O3/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga2O3薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。 相似文献
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研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象。 相似文献
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半导体后段制造自动化 总被引:2,自引:0,他引:2
越来越多的半导体厂商开始考虑在半导体后段生产中采用自动化控制,目前还没有开发出非常成功的技术能够满足变化多端的后段工厂。本文介绍了半导体制造自动化的概况,分析了半导体制造自动化的需求,进而提出了一种基于SECS/GEM标准接口的半导体制造全自动化生产线解决方案。所有设备全部都通过使用SECS标准接口连接到单元控制器及更高级别的MES和工厂计划信息系统,系统除了能完成通常的设备监视和控制、数据搜集、配方管理等功能外,还实现了单一元件追踪,具有Stripmap管理,缺陷管理及多芯片管理等功能。半导体厂商通过实施全自动化改善了生产力,同时减少生产周期和场地占用率,并通过最小化人工操作和过程的连贯性带来质量和可靠性的提升. 相似文献
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介绍了三层完井技术的基本原理,即该技术分别在油层和水层完井(水层有两处完井段),并用封隔器将三射孔段隔开,油水界面以上的原油从油套环空中采出,油水界面以下的水从水层上部射孔段采出后直接回注到水层下部的射孔段。分析了影响三层完井技术临界采油量及油井含水率的主要因素,包括采油速度、采水速度、水层两射孔段间的距离(D/I值)。结果表明,通过设计合理的采水速度及调整D/I值,能使三层完井技术的临界采油量达普通完井技术临界采油量的10倍,油井含水率比普通完井技术大幅度下降。 相似文献
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8-羟基喹啉铝属于有机半导体材料,在太阳能电池应用领域有较为广阔的应用前景。为了研究8-羟基喹啉铝载流子输运动力学信息,在恒温条件下制备了8-羟基喹啉铝薄膜,采用X射线衍射分析方法对薄膜的性质进行了分析,采用渡越时间方法对影响其载流子迁移率的实验条件进行了理论分析和实验验证。结果表明,在308K~338K温度范围内,8-羟基喹啉铝的载流子输运规律符合浅陷阱模型;取样电阻小于15kΩ及光脉冲能量低于3.5μJ时,载流子渡越时间保持恒定,测试结果可靠。这一结果对有机太阳能电池的制备是有帮助的。 相似文献
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