LED散热用镜面铝不同表面处理的性能

为改善LED散热基板铝材的高温下反射率衰减、防硫化性、表面镀层粘接力。本文采用阳极氧化和、电镀以及溅射工艺在纯铝基材表面制备Nb2O5和Al2O3镀层作为铝材表面的防氧化层,将该镀层结构在LED灯光照射下180℃高温持续2000 h下的全反射率、450 nm、550 nm单波长的反射率和防硫化以及镀层结合力测试,并与目前常用的SiO2和TiO2,TiO2和Al2O3两种防氧化镀层进行对比研究。采用Nb2O5和Al2O3镀层处理的镜面铝在LED灯光照射下180℃高温持续2000 h全反射衰减3.6%,450 nm单波长反射率测试衰减4.38%,550 nm单波长反射率衰减3.5%,防硫化性能优异,镀层粘接力优异,3M胶带测试无镀层脱落;采用TiO2和SiO2镀层处理的镜面铝全反射衰减26.5%,450 nm单波长反射率测试衰减31%,550 nm单波长反射率衰减27%,防硫化性能差,镀层粘接力差,3M胶带测试镀层脱落;采用TiO2和Al2O3镀层处理的镜面铝全反射衰减13.9%,450 nm单波长反射率测试衰减16.2%,550 nm单波长反射率衰减13.8%,防硫化性能较差,镀层粘接力差较差,3M胶带测试镀层轻微脱落。实验结果表明,由Al2O3和Nb2O5作为防氧化层的镜面铝基板可有效改善基板在防硫化、高温反射衰减、镀层粘接力方面的性能。     

一种高辐射通量的UVC封装结构研究

本文设计了一种新型UVC LED封装结构,该结构可以有效提升封装器件的外量子阱效率。通过实验测试发现,在UVC芯片相同的前提下,新的UVC LED封装结构的辐射光功率比市场上主流封装结构,测试电流60 mA时的光辐射通量提升22%;测试电流120 mA时的光辐射通量提升35%,同时该封装结构有利于解决陶瓷基板铜杯难电镀的生产瓶颈,提升UVC陶瓷基板的生产效率,降低UVC LED封装器件成本。     

LED器件点胶和喷涂工艺胶面温度研究

研究了LED点胶工艺和荧光粉喷涂两种工艺的LED器件产品在不同的输入电流下,LED器件发光面胶体表面温度的变化情况。实验样品采用28 mm×28 mm大小镜面铝基板,发光面直径为22 mm,25 mil×36 mil LED蓝光芯片,芯片电压为3~3.1V,芯片波长为455~457.5 nm,Po>240 mW。器件内部电路结构为18并18串,色温为2700 K,显色指数Ra>80。采用热电偶探头测试LED器件发光区域胶体表面温度,热电偶探头的位置在发光面的中心,整个实验过程是在一个30 cm×30 cm×10 cm的散热器上进行,在室温25℃的环境下,器件的输入电流为100~1000 mA,记录两种工艺的LED器件产品发光区域胶体表面的温度变化。实验结果表明,采用荧光粉喷涂工艺可以有效降低LED器件发光区域胶体表面的温度,且随着功率的增加,降温效果更加显著。LED器件发光区域表面温度降低,意味着LED芯片的结温也会随之降低,可提高LED器件的可靠性。