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基于参数识别的并联电抗器保护 总被引:2,自引:1,他引:1
针对目前并联电抗器保护性能的不足,提出了基于参数识别的并联电抗器保护新原理,即通过求取参数 L和R,利用并联电抗器内、外部故障时的参数方向关系和阻抗幅值关系来判别故障方向。由于参数 L,R和系统频率无关,且该方法为解微分方程法,因此该方法从原理上不受系统频率变化、振荡等影响,且受非周期分量的影响相当小。动模实验验证表明,该方法能克服传统电抗器保护中存在的不足,尤其是能有效地解决在轻微匝间故障时存在的动作死区问题,用该方法实现的保护简单、可靠、动作迅速。 相似文献
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基于模型误差的自适应方向元件 总被引:4,自引:3,他引:1
为克服目前快速方向元件动作范围整定的盲目性和保守性,提出了基于模型误差的自适应方向元件.模型误差反映了计算模型与实际模型之间的差别,它与保护计算的相位误差有确定的关系.使用ATP仿真软件建立双端电源超高压输电线路模型.通过R-L模型参数识别的方法判断故障方向,把反映系统网络结构的微分方程产生的归一化误差作为模型误差.通过大量故障仿真计算建立模型误差与相位误差之间的关系.故障后实时地计算模型误差,根据模型误差与相位误差的关系自适应地调整方向元件的动作范围.仿真结果显示该方法能使保护更好地适应系统的状况,提高了方向元件的性能. 相似文献
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针对目前并联电抗器保护性能的不足,提出了基于参数识别的并联电抗器保护新原理,即通过求取参数 L和R,利用并联电抗器内、外部故障时的参数方向关系和阻抗幅值关系来判别故障方向。由于参数 L,R和系统频率无关,且该方法为解微分方程法,因此该方法从原理上不受系统频率变化、振荡等影响,且受非周期分量的影响相当小。动模实验验证表明,该方法能克服传统电抗器保护中存在的不足,尤其是能有效地解决在轻微匝间故障时存在的动作死区问题,用该方法实现的保护简单、可靠、动作迅速。 相似文献
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碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为高性能电力电子技术提供了技术保障,其短路承受能力是进一步提升电力电子变换器可靠性的关键;特别是在大功率场合,经常将SiC MOSFET并联使用,然而影响并联SiC器件短路振荡的关键因素并不十分明确,振荡机理有待进一步研究。此处以并联SiC MOSFET为研究对象,建立在短路工况下的等效数学模型,分析影响并联短路特性的关键因素并进行实验验证,归纳短路振荡机理。理论分析与实验结果表明,当并联SiC MOSFET发生短路故障时,栅极驱动电阻和功率回路杂散电感是导致器件并联系统振荡的主要因素,过小的栅极驱动电阻使得并联系统振荡频率和尖峰增大;过大的功率回路杂散电感导致系统振荡频率降低,而振荡尖峰增大,系统的剧烈振荡不利于SiC MOSFET稳定性提高。 相似文献
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针对电动汽车充电口视觉定位系统存在的配置成本高、图像处理算法复杂、环境适应性差等问题,提出了一种基于超声波测距的充电口位姿测量系统。首先对基于超声波的充电口位姿的测量技术进行了研究,然后对充电口的超声位姿重构进行了分析,采用了多点位超声融合的关键技术,最终实现了电动汽车充电口位姿的测量。实验结果表明测距模块在300~1200mm范围内测距精度可达±0.2959mm,位姿测量系统定位精度可达±1.5mm、±2.4°。经实际应用发现该系统具有较强的鲁棒性,达到了传统视觉定位装置的效果,满足了电动汽车充电口位姿测量的工程需求。 相似文献
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