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1.
2.
最近几年,我国的采矿技术越来越先进,采矿企业也得到了显著发展,采矿技术的日益提升有利于更好地开发矿产资源和采矿企业的良好发展。但在采矿中仍有诸多安全隐患存在,对施工人员的安全造成了极大的维修。本文主要阐述了采矿过程中的采矿技术,并对其施工安全管理措施进行了探讨,以供参考。 相似文献
3.
目的开发一种新型的无氰镀镉工艺,替代传统的氰化镀镉。方法以海因和柠檬酸为主、辅络合剂,通过选用光亮剂和表面活性剂获得无氰镀镉工艺配方,优化pH值、电流密度和温度等工艺参数。按规定的方法测试镀液的分散能力、深镀能力。利用SEM、三维显微镜观察镀层的微观形貌,通过极化曲线和循环伏安曲线讨论镀液的极化度和成膜机理,利用塔尔菲尔曲线和点滴实验测试其耐蚀性。结果镉电沉积是通过"成核/生长"机理进行的,乙内酰脲体系无氰镀镉双络合剂协同作用明显,镀液极化能力强。与氰化镀镉相比,该工艺电流效率提高20%,沉积速率提高30%,分散能力可达89%以上,镀液深镀能力和镀层结合力检验合格,镀层表面光亮细致,钝化膜彩虹色明显。无氰镀镉层耐蚀性优于氰化镀镉层,与氰化镀镉钝化层相比,钝化封闭后,自腐蚀电流密度降低至之前的1/15,耐蚀性显著提高。结论该配方及工艺条件为:硫酸镉30~50 g/L,硫酸钠60~100 g/L,乙内酰脲60~70 g/L,柠檬酸20~40 g/L,光亮剂1~3 g/L,表面活性剂1~3g/L,pH=5~6,温度15~35℃。镀液镀层各项性能优越,完全可以替代氰化镀镉工艺用于我国飞机和航空发动机钢结构的防护。 相似文献
4.
Ni-金刚石复合共沉积过程研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用复合电沉积技术制备了Ni-金刚石复合镀层,研究了溶液中微粒悬浮量对复合量的影响,并从两步吸附、微粒传输及界面作用力等不同角度初步探讨了金刚石微粒进入镀层的共沉积过程。结果表明:在研究范围内,随溶液中金刚石微粒悬浮量的提高,镀层中微粒复合量先升高而后缓慢降低。Ni-金刚石复合镀层的形成与N.Guglielmi的两步吸附模型及Yeh的微粒传输模型不完全吻合。分析认为,金刚石微粒与镍金属的共沉积分2个阶段,第1阶段,微粒依靠搅拌作用传输至电极表面,第2阶段,微粒在高场强协助下通过界面作用力的作用逐渐被沉积金属埋覆。 相似文献
5.
通过霍尔槽试验、阴极极化测试、循环伏安测量、扫描电镜观察等方法分析了一种炔醇类表面活性剂对HEDP(羟基乙叉二膦酸)镀铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,该添加剂可在电极表面吸附,阻碍铜的电沉积,具有显著的细化晶粒和整平作用。该添加剂也可明显提高HEDP体系镀铜的光亮区电流密度上限,但其过量会令阳极钝化趋势增大,使低电流密度区镀层发黑。该添加剂的使用量在1.2~1.6 mL/L为宜。镀液中加入1.6 mL/L炔醇类添加剂后,铜镀层表面结晶细致均匀,几乎呈镜面光亮,平均晶粒尺寸约为27.6 nm,且在(111)晶面择优取向明显。 相似文献
6.
白酒中邻苯二甲酸酯类物质三重四级杆气相色谱质谱法测定 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了白酒中16种邻苯二甲酸酯类物质的三重四级杆气相色谱质谱方法。样品采用正己烷提取,使用(GC-MS/MS)检测。在0.10~5.0 mg/L范围内,目标物的峰面积与其质量浓度的线性关系良好(R2>0.99);在0.20 mg/kg、0.50 mg/kg、2.0 mg/kg的添加水平,样品添加平均回收率为80.7%~110.2%,相对标准偏差(RSD,n=6)为1.6%~5.2%,检出限为0.1~10.5μg/kg,定量限为0.4~34.2μg/kg。该方法具有灵敏度高、简单快速、准确、线性范围宽等优点,可满足白酒中邻苯二甲酸酯类物质的检测需要。 相似文献
7.
8.
太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备。实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合荆三元体系制备的ZnS薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的ZnS薄膜好。薄膜表面更加光亮、平整,光透过率能得到明显提高。从实验现象和测试结果来看,随柠檬酸浓度增加,在反应溶液中无定形态白色沉淀明显减少,ZnS薄膜结晶性能也得到明显提高,ZnS薄膜光透过率升高。柠檬酸浓度为0.15mol/L时,薄膜光透过率达到85%左右,完全满足太阳能电池的要求;继续增加柠檬酸的量,薄膜光透过率趋于一致,光透过率略有回落。 相似文献
9.
文章简述了前置式拦污栅的结构布置,分析前置式拦污栅与传统拦污栅在水头损失、电量变化及工程造价等方面的差别,阐述了前置式拦污栅的优点及适用范围. 相似文献
10.
304不锈钢点蚀行为的电化学阻抗谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
综合运用动电位电化学阻抗谱(DEIS)和时间扫描模式下的电化学阻抗谱(TSEIS)研究了304不锈钢在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的点蚀行为。DEIS的结果表明,在比点蚀电位0.15V负得多的电位0.02V下,亚稳态点蚀就已经开始,并且亚稳态蚀孔的产生与再钝化是随机的,DEIS测试得到的稳态点蚀电位比动电位极化法得到的点蚀破裂电位要负0.05V。TSEIS的结果表明,只有在钝化膜减薄到一定程度后,点蚀的形核才能发生。通过对等效电路中元件参数的分析,揭示了点蚀发展过程中双电层和钝化膜结构的变化特点。 相似文献