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为描述旋转磁化过程并有效模拟各向异性对于磁化过程的影响,在矢量磁滞算子模型(vector hysteron model,VHM)的框架下改变了基于等势面模拟磁化过程的方法,提出了一种新的磁滞算子实现方法。采用分支曲线作为磁滞算子临界面方程,并利用有向分支曲线的方法对算子的临界面方程进行求解。为了能够进一步研究模型在不同激励条件下的精确模拟,对不同频率下的实验数据进行了参数辨识,并采用Moving函数对辨识参数的分布进行了表征。通过模拟计算结果与实验数据的对比,验证了新型矢量磁滞模型的有效性。 相似文献
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以钕铁硼为代表的稀土类永磁材料因其磁性能好、价格低、力学性能好等特点广泛应用于永磁电机,电机中的谐波磁场又会使永磁体产生损耗,严重时会导致永磁体过热失磁,影响到电机的稳定运行。通过设计的永磁综合磁特性测试装置定量施加交流磁场,发现在低频下,饱和充磁的钕铁硼会出现明显的磁滞现象。对钕铁硼材料在过热失磁条件下进行了磁滞损耗的定量测试与磁特性分析,发现过热失磁的钕铁硼会产生明显的磁滞损耗。测试结果表明:永磁体在高温状态下长时间运行时会逐渐失去磁性,永磁体的磁滞损耗会逐渐增加,甚至在一定条件下磁滞损耗会高于涡流损耗。这说明永磁体的磁滞损耗会加速永磁体的失效,而且在某些情况下是失磁的主要原因。 相似文献
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通过EBSD实验获取了薄规格取向硅钢(0.18 mm厚)初次再结晶样品表面晶粒组织的取向数据,并以此构建模拟的初始组织.采用Potts模型Monte Carlo方法对薄规格取向硅钢初次再结晶样品的二次再结晶过程进行了模拟仿真,研究了表面能对Goss织构演变的影响.模拟结果表明:Goss取向晶粒与相邻晶粒的表面能差是Goss取向晶粒异常长大的重要驱动力;表面能差存在一个临界值(约12%),只有当表面能差大于此临界值时才会发生表面能驱动Goss取向晶粒的异常长大. 相似文献
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以钕铁硼为代表的稀土类永磁材料因其磁性能好、价格低、力学性能好等特点广泛应用于永磁电机,电机中的谐波磁场又会使永磁体产生损耗,严重时会导致永磁体过热失磁,影响到电机的稳定运行。通过设计的永磁综合磁特性测试装置定量施加交流磁场,发现在低频下,饱和充磁的钕铁硼会出现明显的磁滞现象。对钕铁硼材料在过热失磁条件下进行了磁滞损耗的定量测试与磁特性分析,发现过热失磁的钕铁硼会产生明显的磁滞损耗。测试结果表明:永磁体在高温状态下长时间运行时会逐渐失去磁性,永磁体的磁滞损耗会逐渐增加,甚至在一定条件下磁滞损耗会高于涡流损耗。这说明永磁体的磁滞损耗会加速永磁体的失效,而且在某些情况下是失磁的主要原因。 相似文献
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高频变压器长期运行于频率1~20kHz的非正弦电压下,绕组层间绝缘材料的合理选取对样机可靠性具有重要意义。为此以GHG纸、GHG环氧预浸纸、DMD纸以及DMD环氧预浸纸为研究对象,在0~20kV、1~20kHz双极性方波电压下开展层间绝缘材料放电特性实验,对比材料在环氧预浸处理前后高频绝缘特性,基于热击穿机理解释高频下预浸处理前、后的击穿场强变化规律,利用SEEA模型分析预浸处理技术对闪络电压的影响,最后提出环氧预浸技术在绕组层间绝缘中的应用建议。实验测试及理论分析结果表明,预浸处理后材料内部及表层的气隙被填充,在介电损耗尤为显著的高频条件下,发热点与周围环境有效散热面积下降,加速了材料热老化,导致击穿场强下降;对GHG纸预浸处理后,电子陷阱俘获作用减弱,导致闪络电压显著下降,而DMD纸在预浸处理前后表面状况变化较小,闪络电压基本不变;在利用环氧预浸技术提升材料机械、电气性能的同时,应充分考虑高频下预浸处理对材料散热性能、表面状况的影响,上述研究为高频变压器层间绝缘材料选取与绕组绝缘优化设计提供借鉴。 相似文献
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输电铁塔用角钢的应用及低温服役性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
随着中国超特高压输变电工程的迅速发展,输电铁塔用钢的强度等级与发达国家的差距正逐步缩小。然而,国内由于低温引起的倒塔事件却时有发生,铁塔用钢的低温服役能力问题越来越受到关注。该文阐述了输电铁塔用钢的低温服役能力及应用现状,对中国输电铁塔用角钢Q235、Q345及Q420抽样进行室温拉伸和低温冲击性能测试,研究了75~25℃温度区间角钢的韧脆转变趋势。结果表明:3种角钢的拉伸性能均达到GB/T1591 2008要求;冲击功均随温度升高而增加,Q235及Q345的冲击韧性较好,分别在5和15℃时平均冲击功达到34J;Q420在试验温度区间内一直处于脆断状态,25℃冲击功仍小于30J。 相似文献
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通过EBSD实验获取了薄规格取向硅钢(0.18mm厚)初次再结晶样品表面晶粒组织的取向数据,并以此构建模拟的初始组织。采用Potts模型Monte Carlo方法对薄规格取向硅钢初次再结晶样品的二次再结晶过程进行了模拟仿真,研究了表面能对Goss织构演变的影响。模拟结果表明:Goss取向晶粒与相邻晶粒的表面能差是Goss取向晶粒异常长大的重要驱动力;表面能差存在一个临界值(约12%),只有当表面能差大于此临界值时才会发生表面能驱动Goss取向晶粒的异常长大。 相似文献
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为描述旋转磁化过程并有效模拟各向异性对于磁化过程的影响,在矢量磁滞算子模型(vector hysteron model,VHM)的框架下改变了基于等势面模拟磁化过程的方法,提出了一种新的磁滞算子实现方法。采用分支曲线作为磁滞算子临界面方程,并利用有向分支曲线的方法对算子的临界面方程进行求解。为了能够进一步研究模型在不同激励条件下的精确模拟,对不同频率下的实验数据进行了参数辨识,并采用Moving函数对辨识参数的分布进行了表征。通过模拟计算结果与实验数据的对比,验证了新型矢量磁滞模型的有效性。 相似文献
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