基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计

采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。