用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

10Gbit/s甚短距离传输系统接收模块研究

本文研究了符合OIF—VSR4—01．0规范的甚短距离（VSR）并行光传输系统转换器集成电路，实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B／10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的Stratix GX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集成电路。仿真分析的结果表明所设计的各个模块能正确的实现接收部分转换器集成电路的功能，给出了仿真结果。     

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

改进的RFID室内定位算法

针对射频识别定位系统中RSSI线性定位算法的边界标签定位精度低问题,提出了一种改进的算法.该算法在边缘区域布置参考标签,并在这些布置参考标签的区域采用LANDMARC算法,而其它区域仍采用RSSI线性定位算法.使用MATLAB软件对算法进行仿真,结果表明:针对边界区域的定位标签,改进的算法比RSSI线性定位算法具有更好的定位精度,提高了整体定位区域的定位准确性;与LANDMARC算法相比,改进的算法由于使用较少的参考标签,所以降低了成本并且减少了算法的运行时间,从而提高了定位系统的实时性.     

选频电压表在测量调频信号时的有效值误差

本文研究了选频电压表在测量调频信号时由信号的频偏引起的有效值检波误差,给出了误差表达式,进行了数值计算,进而导出了误差近似公式,并讨论了其应用范围。     

InP材料Zn扩散的新方法

为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.     

A millimeter wave linear superposition oscillator in 0.18 μm CMOS technology

This paper presents a millimeter wave （mm-wave） oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition （LS） technique breaks through the limit of cut-off frequency （JET）, and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density.     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性

研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管(RTD),峰谷比达到了5∶1,最高振荡频率为26.3GHz.采用基于物理意义的电流-电压方程,利用通用电路模拟软件PSPICE,建立了其直流电路模型,模拟结果和实验数据吻合得很好;并以此为基础模拟出了以RTD为驱动器,以电阻或RTD本身为负载的电路双稳态特性,同时分析了RTD器件双稳态特性.     

用于制备硅LED的太阳能电池技术

集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题.采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光.介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术.