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1.
以N-甲基吡咯烷酮(NMP)与苯甲酸甲酯为主溶剂,γ-丁内酯与苯甲醇为助溶剂,甲酸为活化剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)为乳化剂,苯并三氮唑为缓蚀剂,通过单因素筛选实验和正交优化试验复配出了一种乳液型脱漆剂。该脱漆剂对环氧涂层具有优异的脱漆效果,并且其挥发性较低,腐蚀性较小。  相似文献   
2.
胡甲军  熊青昀  熊金平 《电源技术》2017,(11):1674-1676
钒电池成为在大规模储能领域里最有希望和潜力的储能电池之一,在正极电解液中加入添加剂是解决其高温稳定性最有效的途径之一。为此,就国内外在此研究方面的进展进行了总结,重点放在添加剂的种类及其作用机制上,最后对今后研究方向进行了展望。  相似文献   
3.
提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。  相似文献   
4.
综述了油井结蜡的机理及影响因素,详细地介绍了化学清蜡剂和化学防蜡剂的国内进展及各种清防蜡剂的优缺点,指出了未来研究的重点方向是高效、稳定、环保、适用性强、多功能的清防蜡剂。  相似文献   
5.
传统的氯代烷烃辅以苯类的脱漆剂高毒高污染,虽然能够高效的脱除基体上的漆膜,但与此同时给环境和操作人员造成的伤害巨大。近年来能够开发出一种新型的、低污染的环保型脱漆剂是人们的研究热点。在简单介绍了脱漆剂的工作原理与种类的基础上,重点阐述了环境友好型脱漆剂的配方组成,展望了未来脱漆剂的发展趋势。  相似文献   
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