磁记录介质的表面形貌和磁结构的观测

使用磁力显微镜和偏光显微镜观测了硬磁盘，磁光盘，录像带，录音带和磁卡的表面形貌和磁结构，揭示了磁记录介质的信息存储状态，对于不同的记录模式，介质的磁结构截然不同，并且表面平整度也有差别，记录密度越高，介质表面越平整。     

尖晶石型铁氧体薄膜的研究现状

综述了近十年来国内外有关尖晶石型铁氧体的研究和应用状况,着重介绍了１９９６￣１９９８年期间国外有关软磁铁氧体多晶薄膜的成膜技术、物性分析、应用领域、发展前景等方面的最新研究成果。     

外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响

通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响。实验发现 ,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布 ,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化 ,靶的利用率在S S构型和S N构型中均比无外加磁场时要高。利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象。在S S构型和S N构型中 ,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦 ,相对刻蚀深度值更大 ,更能有效地提高靶的利用率     

基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe—N薄膜特性的影响

利用反应磁控溅射方法制备了Fe-N薄膜,发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态,退火或在沉积时对基片施加一磁场,可使晶粒变大,并出现大对应内部存在应力的γ－Fe4N的（110）界面的择优取向,特别是外加的磁场使得Fe-N薄膜具有明显改善的磁性能,作利用磁场中带电粒子受约运动的观点解释了这一现象。     

反应溅射制备的a-A12O3薄膜中的时效过程

用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜,以Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响因素,结论如下：（1）同一样品,高频下测得的电容随样品旋转时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢。（2）其它条件相同时,低的工作气压下形成的样品,其电容量不易随时间而改变。（3）真空中的低温热处理有助于改善时效过程。（4）时效的机制可能是样品中亚稳态的缺陷逐渐消失。这些缺陷跟缺氧和吸水没有必然联系,也不太可能是Al2O3/Al的界面缺陷;它们的消失跟电老化也无必然联系。机制之一可能是氧过量引起的铝离子过配位的逐渐消失。     

外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响

通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许我物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本工作对有、无磁场时溅射的过程与结果作了比较,包括自偏压值,薄膜结晶状况,薄膜磁性能的变化等等。通过比较认为,带电粒子在放电空间中的特殊磁场位形中的运动是变化的根本原因。     

反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz,所有的样品均未显示出可见的极化弛豫引起的损耗峰     

反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

在氧气、氩气的混合气氛中，利用反应射频磁控溅射制备了厚度在１００到１０纳米的非晶氧化铝薄膜。通过Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｌ电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。     

反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

在氧气、氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在100到10纳米的非晶氧化铝薄膜.通过Al-Al2O3-Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质.     

基片下磁场对溅射薄膜宏观形貌的影响

通过屏蔽传统磁控溅射设备阴极内的磁场和在基片下放置永磁铁,使来自基片下的磁场发挥作用,研究了此外加磁场在溅射过程中对薄膜沉积所产生的影响.用这种方法沉积出的Cu、Al的薄膜的宏观形貌为:膜的中央有一圆斑,在圆斑的外围有环.Al薄膜的中央圆斑处没有物质,为空白圆斑;而Cu薄膜的中央圆斑处有物质.对这一实验现象的产生机理,初步认为是成膜粒子在磁场中表现出的波动性.