InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备

对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×10¹⁵ cm^-3,迁移率>4 500 cm²·V^-1·s^-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。     

结合事故浅谈线路距离保护电阻定值的整定

通过对一条110 kV线路发生的两次距离Ⅲ段保护无故障跳闸事故的分析,深入探讨微机线路距离保护电阻定值取法,提出改进的整定原则,并用于实践中,实践证明该原则是可行而有效的.     

电网备自投稳控装置在电网中的研发应用

针对由于电网网架薄弱、变电站进线电源满足不了电网N+1要求而引发的电网事故,结合电网的实际情况,从电网接线方式上分析了存在的安全隐患,在网架暂不能完善的前提下,提出了从二次来弥补的解决方案,在两所变电站都安装电网备自投稳控装置,两套电网备自投稳控装置通过光纤通信,通过对电网备自投稳控装置的研发分析了电网备自投和光纤通道的配置原理、需要的模拟量、运行方式的判别、启动、动作逻辑过程、电网过负荷联切、通信接口的要求.     

低速包晶反应三相区重熔与凝固界面的稳定性(英文)

通过定向凝固实验,研究Cu-Ge合金中的包晶反应过程。大的包晶反应三相区被用于研究包晶反应期间三相区界面的稳定性。在不同的生长条件和成分下,三相区呈现不同的生长形态。在Cu-13.5%Ge亚包晶合金中,随着抽拉速率从2μm/s提高到5μm/s,观察到了包晶相界面的失稳现象,而此时初生相的熔化界面相对稳定。但在Cu-15.6%Ge过包晶合金中,当抽拉速率达到5μm/s时,初生相重熔界面呈现非平面形态。基于成分过冷理论,分析初生相重熔界面和包晶相凝固界面的形态稳定性。     

单斗—汽车工艺中横采工作线的优势

结合伊敏煤电公司一露天矿的实际情况论述了横采在单斗—汽车工艺中的优势。采用横采方式布置工作线,可以发挥单斗—汽车工艺的灵活性,节省运距,增加内排空间,局部采煤台阶并段,建立就近排土场,实现往返重载,效益和效率非常显著。     

富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片.用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨率XRD射线衍射技术研究了富铟非掺InP单晶样品特性.结果表明,在富铟条件下生长的InP单晶会出现富铟夹杂,这种富铟夹杂可导致其周围位错密度升高,同时富铟夹杂在晶片内分布也是不均匀的,在晶片中心部分富铟夹杂的密度高,在边缘部分密度低.对富铟夹杂形成及不均匀分布的原因进行了分析,讨论了富铟夹杂对PL-Mapping发光峰峰值的影响.     

基于nRF905和DS18B20的多路无线温度采集系统设计

设计了基于nRF905射频模块和集成温度传感器DS18B20的多路无线温度采集系统。系统每个节点均用AT89S52单片机为MCU,使用无线星型网络,在433MHz的ISM频段采用GFSK调制、地址轮询多点通信方式进行工作。样机试验结果表明,该系统抗干扰能力强,室外可靠通信距离可以达到200m以上,室内可以实现3-6层可靠通信。该系统实用性强,使用及维护方便。     

可编程控制器在纺织设备电气改造中的应用

可编程控制器在国内外得到了广泛的应用，本文着重对引进国外部分亚麻纺织设备，采用日本，西德制造的可编程控制器进行了分析，并阐述了在实际生产中的效果。     

液态置氢对TC21合金组织及硬度的影响

在热氢处理(THP)的基础上提出了液态置氢的方法,即合金在含氢气的气氛下进行熔炼,部分氢被合金吸收,并在凝固后保留在合金的内部。由于氢在液态合金中的扩散系数较大,因此液态置氢的速度较快。本研究基于Sievert’t定律推导出了液态置氢时,TC21合金中的氢含量与环境中的氢分压的关系。发现氢细化了TC21合金的晶粒,并且细化作用随着氢含量的增加而增强,随着氢含量的进一步增加,TC21合金中出现了α"相和孪晶结构。合金的显微硬度随氢含量的增加而降低。