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由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
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高层建筑物,尤其带有裙楼的高层建筑,其主楼与裙楼会有明显的高度、载荷差异,这样就容易使建筑物地基产生不均匀沉降,这会影响建筑物的使用寿命,所以,我们应了解建筑物不均匀沉降产生的危害,找到解决的办法,采取合理的措施和方法防止这种危害的发生。 相似文献
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本文主要介绍了软土地基的处理方法及路基施工技术,根据在不良地质的施工方法,积累经验,保证安全,提高施工进度。 相似文献
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Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式. 相似文献
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本文主要研究皮带机运行中托辊的作用力及变形特性,通过对托辊在不同工况下的力学响应分析,揭示了托辊在皮带机运行过程中所承受的力学载荷特性。针对托辊的变形问题,提出了相应的改进措施,以提高托辊的耐用性和运行稳定性,为皮带机的安全、高效运行提供了理论支持。 相似文献
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(~4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证. 相似文献
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (~ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 . 相似文献
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