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1.
2.
本文研究了常温下I2四波混频(DFWM)信号强度与泵浦光能量的关系以及0℃下I2的DFWM光谱随压强的变化.本实验采用后向四波混频光路,用脉冲Nd:YAG激光器泵浦染料激光器,其输出波长在552~570nm范围内连续可调,脉宽为10nm,激光重复频率为10Hz.通过选定I2的共振波长,改变泵浦光能量Ef,测得常温、 相似文献
3.
本工作研究了化合物13-SO_3Na-DDHA在不同pH的缓冲溶液中的电化学氧化还原行为.实验证明:化合物中羰基的还原电位与pH之间存在线性关系,其直线的斜率为60mV/pH.并证明了此过程为一步两电子、两质子还原过程:Q+2H ̄++2e=QH_2.DMF作为非质子溶剂,具有很好的稳定自由基的作用.向缓冲溶液中加入DMF后,化合物13-SO_3Na-DDHA为两步单电子还原过程,相应溶液中的光诱导电子转移吸收光谱证实了以上电化学的结果. 相似文献
4.
基于模型匹配的精馏塔产品质量非线性控制 总被引:1,自引:0,他引:1
将非线性系统模型匹配问题(MMP)应用于精馏塔产品质量控制器的设计,得到精馏塔的MMP非线性控制器,理论分析和仿真表明,该控制器实现了对部分干扰的解耦,具有良好的跟踪和调节特性。 相似文献
5.
基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景. 相似文献
6.
研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14~18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB(±0.2 dB),噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。 相似文献
7.
8.
采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC~1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。 相似文献
9.
基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18~100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18~100 GHz,带宽内变频损耗为(4±1)dB,端口隔离度优于15 dB,45 GHz处1 dB压缩点输入功率为4 dBm,芯片面积仅为0.36 mm2。该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能,非常适合用在低功耗的通信系统当中。 相似文献
10.