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多阈值采样法是以闪烁脉冲特征模型为先验知识,通过预设多个阈值电压,对脉冲上升沿数字化得到的时间-阈值采样点进行最小均方误差拟合以精确获取脉冲起始时间.高计数率是目前PET仪器发展的一个热点方向,这就要求采用多阈值方法提取时间信息的数据获取系统具有快速高效处理脉冲以减少系统死时间的能力.论文提出了一种基于FPGA的闪烁脉冲上升沿拟合算法,通过数据预处理技术、流水线设计结构和并行处理简化算法复杂度,实现实时闪烁脉冲时间信息快速获取.仿真和实验结果表明,在FPGA上实现该算法的处理速度和精度均达到设计要求,可以满足在高计数率环境下对闪烁脉冲进行实时处理的需求. 相似文献
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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜,所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性。 相似文献
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A ferroelectric memory diode consisting of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration has been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The ferroelectric properties and the memory characteristics are investigated. The P-E curve of the PZT/BIT/p-Si films system had an asymmetry saturated hysteresis loop with P, = 15 μC/cm2 and Ec = 48 kV/cm, and the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, meanwhile the increase in coercive field was 12% . The C-V hysteresis loop and the I-V curve showed a memory effect derived from the ferroelectric polarization of PZT/BIT films, and the current density was 6.7 × 10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V. Our diode had nonvolatile and nondestructive memory readout operation. There was a read current disparity of 0.05 μA for logic "1" and logic "0" at a read voltage of + 2V, and the stored logical value ("1" or "0") could be read out in 30 min. 相似文献
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用固相反应法制备了Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3及其含Pb钛酸锶钡(BPST)陶瓷,运用修正的Smolenski的成分起伏理论和居里外斯定律,结合介电常数温度谱,研究了钙钛矿结构的BST及铅取代的钛酸锶铅钡(BPST)的弥散相,对其相变行为进行了分析,得出了的一些铁电模型参数.结果表明,该系列样品在弥散相变区的弥散指数α为1.29~1.88,相变区间为13.4~22.8℃;在顺电相其居里常量为1.25×10~5~1.47×10~5K数量级.当Pb含量为0.1(即Ba_(0.6)Pb_(0.1)TiO_3)时,居里峰较宽,弥散相明显,故具有较高的调谐温度稳定性.另外铅的加入提高了铁电体的相变温度,从44℃上升到175℃. 相似文献