基于二维长方晶格柱状光子晶体的衍射抑制

通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播。实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm。该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力。     

微机控制工频高压试验系统的研究

介绍了一种微机控制工频高压试验系统。此系统具有传统的工频高压试验功能 ,通过数字化控制完成分级试验 ;试验级数、电压等级、耐压时间、电压上升率等均任意可调。文章还分析了系统中存在突出的电磁兼容问题并提出了解决办法     

硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计

刻蚀衍射光栅（EDG）作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅来提高反射效率、降低器件插入损耗,并在入射波导处引入多模干涉耦合器以实现通道频谱平坦化设计。结果表明,闪耀光栅反射面的反射效率由35%提高到了85%,1dB带宽达到12nm。这对于提高系统稳定性、增大传输距离和容量、降低系统成本具有显著作用,能够满足光互连系统的实际应用需求。     

使用FDTD进行屏蔽盒的屏蔽效果分析

对使用时域有限差分法 (FDTD)屏蔽盒的屏蔽效果进行了分析。吸收边界采用 Mur.二阶吸收边界条件。对一个盒壁上带开孔的屏蔽盒的几种设计布置的计算和对一个实际屏蔽盒的屏蔽系数的计算结果证明 FDTD计算屏蔽系统效果良好。     

时域有限差分总场吸收边界条件的计算与验证

时域有限差分总场吸收边界条件适用于电磁场总场的计算。与传统散射场的吸收边界条件的表达式不一样 ,此时 ,时域有限差分处理的电磁场是入射场和障碍物散射场的和 ,即总场 ,已经不需要把计算区域分为总场和散射场。入射源直接加在吸收边界上 ,在其上进行边界处理 ,省去连接边界 ,这样逻辑上易于理解 ,编程简单 ,计算速度快。本文推导出总场吸收边界条件公式 ,并用一个三维例子 ,把总场和散射场吸收边界条件的结果进行了对比 ,以验证其正确性