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纳米晶Mg2Si金属间化合物块体材料的制备及微结构表征 总被引:5,自引:0,他引:5
采用机械合金化及热压方法制备了纳米晶Mg2Si块体材料,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)分析、场发射扫描电镜(FE-SEM)及宏观密度测定对合成粉体及块体样品的微结构进行了表征.结果表明:正己烷作为合金化过程控制剂能有效避免粉体板结、团聚及防止合成粉体的氧化;合适的工艺参数(如配球、球料比及球磨转速)可有效促进合金化和降低杂质含量;配镁量对获得纯相Mg2Si块体至关重要;热压压力增大能显著提高Mg2Si块体的致密度;在1.5 GPa压力热压获得了相对密度大于98%、晶粒度为69 nm的纯相纳米晶Mg2Si块体. 相似文献
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采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶(Mg0.97X0.03)3Sb2(X=Mg、Cr、Cu、Ti),进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。(Mg0.97X0.03)3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm(Mg3Sb2)下降到137Ωcm((Mg0.97Cr0.03)3Sb2)、121Ωcm((Mg0.97Ti0.03)3Sb2)、109Ωcm((Mg0.97Cu0.03)3Sb2)。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。 相似文献
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层状结构TiS2具有准二维结构,高热电势(室温时S≈250μV/K)和大的热电功率因子,作为热电材料具有很好的开发和应用前景。通过固相反应法,我们分别用原子量大于和小于Ti的原子部分替代Ti位引入替位缺陷(NiTi″,AlTi′,MgTi″),合成了不同元素替代掺杂化合物M0.04Ti0.96S2(M=Ni,Al,Mg),在5-310K的温度范围内研究了各化合物的电阻率、热导率及热电势率与温度的对应关系。结果表明Ni、Al、Mg三种元素的掺杂均引起了主体材料从金属性到半导体导电性质的转变,且在低温范围内呈现莫特二维变程跳跃电导规律,lnσ∝T-1/3,表明了TiS2的二维导电机制。值得注意的是:①Mg、Al的掺杂引起了热电势绝对值的显著增高,特别是Al掺杂的化合物在310K时热电势率为-500μV/K,达到了纯TiS2的200%;②Ni掺杂也在整个研究温区引起热导率的明显下降,而Mg、Al的掺杂却在整个研究温区引起热导率的明显升高。由于电阻率的增大,Ni、Al的掺杂均没能使得材料的ZT值有所提高,而Mg的掺杂明显地提高了TiS2的ZT值,在310K其ZT值是纯TiS2的1.6倍。这表明元素掺杂是提高材料的热电优值的有效途径之一。 相似文献
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摘要:近年来,公司、机构以有限合伙人的身份设立有限合伙企业,组建私募股权投资基金,以拓展业务范围。有的公司、机构出资比例较高,甚至在80%以上;有的在有限合伙企业投资委员会中占主导地位,但如何认定其是否执行了合伙企业事务,对有限合伙企业是否构成控制并纳入合并范围,其认定依据不充分。同时亦存在投资者与经营者信息不对称问题。因此,在有限合伙型私募股权基金相关法律、法规完善前,需加强对公司、机构特别是上市公司组建有限合伙企业信息披露的管理,避免表外风险,也要督促普通合伙人加强信息披露。 相似文献
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