非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．     

直拉法硅表面层熔体流动所遵循的线性规律

本文定量地研究了硅自由表面层熔体的流动规律,用大量实验数据确立了自由表面层熔体径向流动速度与熔体纵横比(D/H)值的线性对应关系。根据这个关系可以成功地解释和处理硅单晶生长过程中的许多相关问题。     

Φ125 mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究

为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。     

复吹转炉双渣脱磷工艺实践

为解决帘线钢因磷偏析而造成的拧股断裂,根据现有的设备及生产组织情况,在中天120 t转炉上进行双渣工艺试验,通过对加料制度、顶枪操作、底吹等工艺制度进行研究,分析前期倒渣温度、碱度、FeO等对脱磷影响。结果表明,前期倒渣温度控制在1 320～1 400 ℃、炉渣碱度控制在1.8～2.0的工艺控制下,转炉终点脱磷率达到92.8%,平均出钢磷质量分数由0.011%降低至0.008 5%,平均终点碳质量分数由0.13%提高至0.205%。     

大规模集成电路用硅单晶的研究

进一步研究了提高硅单晶的质量,取得了良好的结果。采用减压拉晶工艺,研究炉室内气体运动状态,调节氩气流量,及时有效地排除反应产物,碳的含量得到了显著的降低,多数单晶样品的碳含量≤5×0~(16)/厘米~3。系统地研究了消除旋涡缺陷的途径。设计出一个梯度适宜、热对称性良好的温度场,合理选择晶体生长参数,获得近似平坦而微凹的结晶前沿,注意氧含量的控制,能够做到90%以上的 P 型〈111〉,〈100〉单晶为无旋涡缺陷。无旋涡缺陷单晶生长工艺有助于单晶径向电阻率均匀性的改善,径向电阻率不均匀度一般均可≤8%。     

Flow Pattern and Temperature Distribution in HMCZ Silicon Melt

The axial and radial convective flow,temperature fluctuation and distribution in the HMCZ silicon meltare studied tentatively.The experimental results show that the axial and radial convective speeds,the tempera-ture variation and the radial temperature gradient,parallel to magnetic field and near melt surface,alldecrease,but the axisymmetry of temperature distribution no longer exists when the magnetic field is applied.     

关于P型直拉硅单晶中旋涡形成的探讨

研究了P型<100>、<111>直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(-3)、碳浓度在0.2～1.9×10~(17)cm~(-3)范围内,对旋涡缺陷的形成无明显影响。在偏心8mm下拉制的晶体中,虽然回熔严重,但采用适宜的冷却速度,仍能拉出无旋涡单晶。     

企业专利维权之诉前准备

在商业竞争社会里,作为家电企业,拥有知识产权便可在市场竞争中占有主动权.为了突显企业科技实力,达到技术垄断,推动科技进步,家电企业专利申请数量逐年提高,但随之而来,市场上也出现了仿造他人产品,实施他人专利技术的侵权行为.目前许多企业建立了市场专利监控机制,以便尽早发现并及时解决侵权问题.发现专利侵权后,企业究竟该如何操作?笔者建议专利权人不宜操之过急、急于诉讼,至少应先行走完以下六步:     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 ,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了300mm硅单晶的工艺控制,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。