排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
3.
4.
5.
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe0.88Zr0.07B0.05)97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明,未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5kHz~13MHz频率范围内,着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的变化特性。研究结果表明,样品具有极好的软磁性能和GMI效应,其矫顽力仅为58A/m,饱和磁化强度约为1.15×106A/m,在13MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17%。并发现有效磁导率比随外磁场的变化,在各向异性场仇。0.4kA/m处出现了峰值,GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。 相似文献
6.
采用射频溅射法, 在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品, 对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析. 结果表明, 在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能, 与无磁场沉积态相比, 样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m, 在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%. GMI效应与磁导率比的大小密切相关. 无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应, 而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应. 在13 MHz 的频率下, 最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%. 这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性. 相似文献
7.
磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性. 相似文献
8.
9.
10.
沉积态(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17%,最大横向磁阻抗比为11%,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性. 相似文献
1