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1.
葛瑞泉 《数码设计:surface》2021,(5)
随着人工智能技术的快速发展,智能家居、无人驾驶、智慧城市和智能医疗建设中都可以看到人工智能的身影,《人工智能》逐渐成为了大学计算机专业的核心课程。大学计算机教师要关注人工智能技术发展,设计全新的导向驱动式教学模式,从兴趣驱动、问题驱动和任务驱动入手,引导学生探索模式识别、计算机视觉和数据挖掘等专业知识,提升学生的实操能力,体现学生在课堂上的主体地位,尽快使学生掌握编程、图形图像识别和智能化系统设计等知识,提升学生岗位胜任能力。 相似文献
2.
为有效指导农业温室气体减排政策的制定,本研究分别采用CH4MOD模型和排放因子法估算了2018年长三角地区农作物甲烷(CH4)和氧化亚氮(N2O)排放,并分析其时空分布规律,最终建立了2018年长三角地区农作物1 km×1 km网格化温室气体排放清单.研究结果表明:长三角稻田CH4排放因子为348.54 kg/hm2,农作物N2O排放因子为0.95 kg/hm2,与前人研究结果具有一致性.长三角地区稻田CH4排放为176.9万t(折合约3 714.9万t CO2当量),最主要排放源为单季稻稻田;农作物N2O排放为15114.9 t(折合约450.4万t CO2当量),小麦是主要贡献源.CH4和N2O排放均主要来源于江苏省和安徽省,且集中在4—8月.建议加强对农业温室气体排放的管控,从源头上减少农田碳氮源的输入. 相似文献
3.
本文以一种可作为变体机翼蒙皮的复合材料波纹结构为对象,研究了其横向承载能力,为其结构参数优化提供理论基础。提出了一个理论分析模型,计算了试件横向的抗弯刚度及三点弯曲载荷下的挠曲线,并计算了同等材料厚度、宽度的平板结构的抗弯刚度,比较发现,波纹结构在纵向有远大于平板结构的承载能力。模仿蒙皮实际受载情况,计算了均布载荷作用下波纹试件弯曲的挠曲线方程。制作了波纹基体承载试件及平板试件,用三点弯曲法对两种试件进行了弯曲测试,测试结果表明,在弯曲的弹性变形段内,理论计算值与测试值基本吻合,误差小于10%,证明了理论分析模型的正确性。 相似文献
4.
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Si1-yCy合金薄膜表面平整, 晶粒大小均匀; XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2θ约为28.5°), 表明得到的合金薄膜晶体取向单一, 其晶体类型为4H型; 粗略估算, 合金薄膜中C含量约为3.7%。拉曼谱显示:随生长气源中的C/Si比的增加, Si1-yCy合金薄膜中替位式C含量逐渐增大, 当C/Si比达到一定值时, 合金薄膜中有间隙式C出现, 造成晶体缺陷, Si1-yCy合金薄膜晶体质量下降。 相似文献
5.
<正>在当前自动化领域,随着科技的不断发展和社会的不断进步,对于图像识别技术在控制工程技术的应用的问题得到了广泛地关注。本文将从图像识别技术在控制工程技术的应用来进行分析,首先解释了图像识别技术的发展历史和基本概念和原理,接着介绍了图像识别技术在控制工程中的应用,包括设备故障诊断、质量检测、环境监控、自动化控制和机器人导航等方面,然后介绍了图像识别技术在控制工程技术中的不足与解决方案,最后展望图像识别技术在控制工程技术的发展。 相似文献
6.
空间低红外辐射液氮冷屏低温特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用低温冷屏蔽方法可以降低空间飞行器表面红外辐射强度。建立分层贮液及气流分离空间冷屏蔽系统模型,应用流场数值模拟参数计算对流换热经验关联式并获得不同边界对流换热系数,将对流边界条件代入稳态传热数值模拟过程并得到液相区及气相区表面温度分布规律。建立单元传热试验模型,应用当量分析法对试验模型天地一致性进行分析,结果表明:极端状态下分层贮液高度小于100mm时传热模拟表面最大温度92.9K,流场最大温度107K,试验最大温度180K,受当量辐射影响,试验温度梯度与模拟梯度外形相似但大于模拟温度梯度;试验当量辐射接近1592.6W/m2,地面液氮维持时间15min,空间维持时间大于30min;分层贮液模型能够使空间飞行器在特定时间段内表面温度低于100K,红外辐射强度低于0.5W/m2。 相似文献
7.
8.
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3. 相似文献
9.
10.
<正>近年来,海林市海南灌溉试验站积极推广田间节水控制灌溉技术,不仅使农民增产增收,而且在节水的同时,促进了全市经济的稳步发展,可谓"水稻节水,八方受益"。一、水稻控制灌溉技术及试验概况水稻控制灌溉技术简称控灌,是指稻苗本田移栽后,田面保持5~25mm薄水层,在返青后的各个生育阶段田面不再建立灌溉水层,以根层土壤水分作为控制指标,确定灌水时间和灌水定额,土壤水分控制上限为体积饱和含水量,下限则视水稻不同生育阶段,分别取土壤体积饱和含水量的60%~80%适宜组合。这是根据水稻在不同生育阶段对水分需求的敏感程度和节水灌溉条件下水稻新的需水规律,在发挥水稻自身调节机能和适应能力的基础上,进行适时适量科学供水的灌水新技术。 相似文献