硅靶低温射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜的电击穿场强

采用磁控射频溅射法制备了氧化硅（SiOx）薄膜，分析了薄膜的主要成分，研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的主要成分是氧化硅（SiOx）；薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小，在400W左右时最大；薄膜的电击穿概率与衬底的选择有关，在单面抛光的单晶硅片与在不锈钢衬底上制备的氧化硅相比电击穿场强高且概率集中。     

传递函数方法在复杂曲梁计算中的应用

曲梁在机械工程中的应用非常广泛,例如吊钩、链环等,因此对曲梁进行力学分析和变形计算是机械设计的重要内容。采用传递函数方法对复杂曲梁进行分析,根据曲梁上的载荷和曲线的形状将曲梁分成不同的单元,建立单元的分布传递函数求解模型,并在单元之间连接处作了特殊处理,通过坐标变换后再组集成梁整体平衡方程。算例表明,此方法具有很高的精确度。     

射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.     

复杂液压系统高速数据采集方案设计

针对复杂液压系统数据采集的特点,提出了基于CPLD＋FX2高速便携式数据采集系统的软、硬件设计方案。该方案采用USB2．0接口,达到DSP为主控芯片的采集速度,具有电路设计简单、可靠性高和传输速度快等特点。     

复合材料中压电螺型位错与含刚性核夹杂的电弹干涉

为了研究压电复合材料中位于基体的压电螺型位错与含共焦椭圆导电刚性核椭圆夹杂的电弹相互作用, 基于复变函数方法, 获得了基体和夹杂区域的精确级数形式解析解。运用广义Peach-Koehler公式, 导出了作用在位错上像力的解析表达式。在此基础上讨论了椭圆刚性核和材料电弹特性对位错像力以及位错平衡位置的影响规律, 同时讨论了压电夹杂和弹性基体的复合情况。结果表明: 椭圆刚性核对位错有着明显的排斥作用, 可以增强硬夹杂对位错的排斥, 减弱软夹杂对位错的吸引; 对于软夹杂, 在界面附近位错存在一个不稳定的平衡位置; 在基体和夹杂的界面上, 像力迅速增大; 当夹杂的剪切模量远小于基体时, 界面附近不会出现位错的平衡位置。