双极关键工艺的在线统计分析

采用了双极晶体管作为双极工艺的测试结构,将在线工艺的统计分析理论应用于双极工艺,研制了双极工艺的统计分析软件。最后给出了双极工艺的某些分析结果。     

硅高效太阳电池的现状与进展

一、引言硅高效太阳电池的转换效率自1983年的17％,提高到1990年的24％效率的快速发展主要是在两个方面有了重大改进。一是在设计中采用了光陷井技术,利用化学腐蚀的方法形成微型槽(μ-groove)或倒金子塔形状(Inverted Pyramid)的结构,增加了短路电流密度(Jsc)。二是改进了制造工艺技术,在制造过程中采用高载流子寿命的TCA氧化工艺,减少了光生载流子的表面复合速率。这样不但增加了短路电流密度(Jsc),同时也提高了开路电压(V_∝)     

背面点接触高效太阳电池的背电场与串联电阻

背面点接触结构提高了硅太阳电池的转换效率，开启电压Ｖ∝和断路电流密度Ｊ∝均有很大的提高和增加，本文针对背面点接触的电池结构，建立了倒棱台单元的模型，通过对背电场与体串联电阻的分析，提出了体串联电阻的计算方法，给出了背面点接触面积和间距的优化设计条件。     

跟踪式光伏发电系统的性能分析

对不同太阳位置的表述方法进行了简单描述,详细讨论了光伏跟踪系统的分类.基于处理过的PSA算法及向量法对太阳位置进行计算,计算出的太阳位置与MICA数据对比误差在0.7°以内.给出更有利于跟踪系统应用的准赤道坐标系统,从朗伯余弦定理出发,给出单轴倾斜轴跟踪系统的最佳跟踪角度vs计算公式,并且给出了具有方位角、坡度校正的vso以R.Perez模型为基础,结合PSA算法以及向量法等对不同地区、不同结构的跟踪系统的性能进行对比分析,vs角跟踪的优势得到了论证.     

场极器件的设计考虑

对半导体表面的研究不泛其人,除了表面场效应是应是MOS器件的理论基础之外,另一主要原因是因为表面场效应能够对平面器件的PN结及晶体管的特性产生巨大的影响。自从Grove在1967年转为系统.但比较粗糙地提出了关于平面PN结击穿电压的表面功效应之后,对于利用表面场来控制P结就得到了更广泛的研究。de.Graaff.用计算机进行的二维模拟计算,描述了局部栅复盖PN结的表面击穿。F.Cont,和Mcont;则在1974年提出了用表面场的900v平面二极管的报告。目前,该方面的工作处于对栅控二极管表面     

背面点接触高效太阳电池的背电场与串联电阻

背面点接触结构提高了硅太阳电池的转换效率，开路电压Ｖｏｃ和短路电流密度Ｊｓｃ。针对背面点接触的电池结构，建立了倒棱台单元的模型，通过对背电场与体串障碍电阻分析，提出了体串联电阻的计算方法，给出背面点接触面积和间距的优化设计条件。     

硅高效太阳电池的效率极限

提高硅太阳电池的转换效率主要在于提要开路电压V_(oc)和短路电流密度J_(DC),减薄基底的厚度和光陷井技术是获得极限转换效率——29%的主要途径.     

POCSAG码的编码信息与应用

本文在对当前对普遍采用的ＰＯＣＳＡ码进行分析的基础上，讨论了ＰＯＣＳＡＧ码的各种码字的格式及ＰＯＣＳＡＧ信息的组成和传输方式，并且给出了数字信息编码格式和中文信息编码格式的编码及其实现。     

集成电路布局规划技术

介绍了集成电路布局规划的重要性及其实现方法，提出了诸如外观比率调整的新新方法、电源及信号线设计和工艺兼容设计原则等观点，并逐一说明了布局规划中各个步骤所应遵循的法则及考虑要点。     

微机环境下的集成电路CAD工具

集成电路计算机辅助设计技术是当今集成电路设计的重要技术手段。本文主要介绍在微同上运行的集成电路ＣＡＤ软件：电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ，电路设计软件包ＶＩＥＷＬｏｇｉｃ中的逻辑模拟软件ＶＩＥＷＳｉｍ；半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ；集成电路版图编辑软件Ｌ－ＥＤＩＴ。