CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质

本文介绍了用CVD方法分别在Si和InP上淀积了Al_2O_3膜.并用椭偏仪、高频C-V,准静态C-V、DLTS对Al_2O_3膜的性质及其与Si和InP的界面性质进行了测试分析.     

聚合物半导体聚乙炔的热激电流谱研究

本文首次给出聚合物半导体材料聚乙炔(CH)_x的热激电流(TSC)谱,观察到聚乙炔的异构化现象,并获得关于聚乙炔极化现象的新结果。本文还给出按照理论公式由实验测得的热激电流峰曲线求得相应激活能的计算机拟合程序     

有机半导体研究进展

1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高 1 2个量级 ,由绝缘体变成导体 ,从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外 ,还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高达 1 0 5cm2 /V.s的高质量有机半导体晶体 ,在其中观察到量子霍尔效应 ,并用其制成有机半导体激光器。如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。     

聚合物半导体PAn/Si异质结(英文)

The P type semiconducting polymer polianiline (PAn) films have been prepared on n and p type si chips by photo-electrochemical and electrochemical polymerization, and so the semiconducting polymer PAn/silicon heterojunctions have been fabricated. The I dark-V and I photo-V curves, as well as C-V curves at different frequencies have been measured and the energy band diagrams, the distributions of impurity density and the interface states have been analyzed for the heterojunctions. It is demonstrated experimentally that the n-p Si-PAn heterojunction possesses fine photoelectrical characteristics.     

科研光、电测试系统

在Win2000下，利用计算机并行口的SPP模式，开发了一套集信号发生，光电信号转换与瞬态信号采集的科研测试系统。此系统在有机半导体发光器件的瞬态光、电特性研究中得到应用。     

神经递质在聚吡咯膜中的掺入和释放

用循环伏安法比较了五种神经递质在聚吡咯膜内的掺入和释放过程,它们与聚吡咯膜结合的程度呈以下序列:天冬氨酸>5—羟色胺>谷氨酸>γ—氨基丁酸>甘氨酸。并用了一个电脉冲(1ms)制激含有天冬氨酸的聚吡咯膜,模拟了突触前膜对神经递质的释放过程,实现了在非生命体系中借助于信息分子的化学通讯。     

氧气中退火Ge-SiO2共溅射薄膜的强紫光发射

Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL峰与锗氧化物紧密相关.进一步的光致发光激发谱(PLE)则证实它们来源于GeO色心的光学跃迁.对比不同退火气氛下的PL强度,发现最强的光发射出现在800℃氧气里退火的样品中.这表明,退火气氛中氧的存在,能够增强Ge-SiO2共溅射薄膜的紫、紫外光发射,是一种增强光发射强度的新途径.     

聚合物半导体PAn表面场效应管

本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。     

聚合物半导体P3MT/溶液界面的光电特性及P3MT表面铂原子的光电催化作用

本文报道了一维半导体聚合物材料 poly(3-Methyl thiophene)-P3MT/电 解液和GaAs/电解液界面瞬态和稳态光电特性,观察到两者有显著的不同,这是一维半导体聚合物和三维半导体单晶材料不同的能带结构、元激发状态和杂质性质的反映;还报道了用光电化学方法在P3MT表面淀积少量Pt原子的光电催化作用,并找到其最佳Pt原子面密度.且对淀积有Pt原子的P3MT样品作了表面俄联分析.