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本文介绍了用CVD方法分别在Si和InP上淀积了Al_2O_3膜.并用椭偏仪、高频C-V,准静态C-V、DLTS对Al_2O_3膜的性质及其与Si和InP的界面性质进行了测试分析. 相似文献
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The P type semiconducting polymer polianiline (PAn) films have been prepared on n and p type si chips by photo-electrochemical and electrochemical polymerization, and so the semiconducting polymer PAn/silicon heterojunctions have been fabricated. The I dark-V and I photo-V curves, as well as C-V curves at different frequencies have been measured and the energy band diagrams, the distributions of impurity density and the interface states have been analyzed for the heterojunctions. It is demonstrated experimentally that the n-p Si-PAn heterojunction possesses fine photoelectrical characteristics. 相似文献
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Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL峰与锗氧化物紧密相关.进一步的光致发光激发谱(PLE)则证实它们来源于GeO色心的光学跃迁.对比不同退火气氛下的PL强度,发现最强的光发射出现在800℃氧气里退火的样品中.这表明,退火气氛中氧的存在,能够增强Ge-SiO2共溅射薄膜的紫、紫外光发射,是一种增强光发射强度的新途径. 相似文献
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本文报道了一维半导体聚合物材料 poly(3-Methyl thiophene)-P3MT/电 解液和GaAs/电解液界面瞬态和稳态光电特性,观察到两者有显著的不同,这是一维半导体聚合物和三维半导体单晶材料不同的能带结构、元激发状态和杂质性质的反映;还报道了用光电化学方法在P3MT表面淀积少量Pt原子的光电催化作用,并找到其最佳Pt原子面密度.且对淀积有Pt原子的P3MT样品作了表面俄联分析. 相似文献