纳米3Y-TZP粉体的制备及烧结曲线研究

采用共沉淀法制备纳米3Y-TZP粉体,并利用DSC-TG,XRD和TEM等测试方法对3Y-TZP的物理化学性能进行表征。通过研究纳米3Y-TZP粉体的烧结曲线,分析3Y-TZP素坯在烧结过程的致密化和显微结构。结果表明:在600℃下煅烧2h后,可获得晶粒尺寸为13nm,晶形发育良好、团聚较少的纳米3Y-TZP粉体。在烧结过程中,不同烧结阶段中的扩散机制不同,在烧结后期晶粒尺寸发生显著长大。     

两步烧结法制备纳米氧化钇稳定的四方氧化锆陶瓷

采用共沉淀法制备纳米氧化钇稳定的四方氧化锆（yttria stabilized tetragonal zirconia,3Y-TZP）粉体。利用X射线衍射、N2吸附–脱附等温线,透射电子显微镜对3Y-TZP粉体的物理性能和化学性能进行表征。研究了纳米3Y-TZP粉体的烧结曲线,分析了3Y-TZP素坯在烧结过程中的致密化行为和显微结构,探讨了两步烧结工艺对3Y-TZP纳米陶瓷微观结构的影响。结果表明：采用共沉淀法,在600℃煅烧2h后,可获得晶粒尺寸为13nm、晶型发育良好、团聚较少的纳米3Y-TZP粉体;采用两步烧结法,将素坯升温至1200℃保温1min后,再降温到1050℃保温35h,可获得相对密度大于98%,晶粒尺寸约为100nm的3Y-TZP陶瓷。两步烧结法通过控制煅烧温度和保温时间,利用晶界扩散及其迁移动力学之间的差异,使晶粒生长受到抑制,样品烧结致密化得以维持,实现在晶粒无显著生长前提下完成致密化。     

深紫外LED的外延技术进展

深紫外LED (UVC LED)是新型紫外线光源,可应用于病毒消杀、工业、通信等领域。近年来,AlGaN基UVC LED的外延技术取得了显著的发展,器件性能不断提升,展现出了良好的应用前景。本文综述了UVC LED外延技术的研究进展,主要介绍衬底、外延工艺与外延结构对UVC LED光电性能的影响。