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在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30nm)/Ti(tnm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火.详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响.X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和FePt形成了三元FePtTi合金.当Ti层厚度t=5 nm、退火温度Ta=500℃时,样品具有高度有序的L10织构、小的颗粒尺寸和优异的磁特性.矫顽力超过了6.7 kOe,饱和磁化强度为620emu/cc.并且具有较小的开关场分布.结果表明FePt/Ti颗粒膜系统可作为超高密度磁记录介质的候选者. 相似文献
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通过对靶磁控反应溅射法和原位退火工艺制备了系列CoTiO2薄膜样品.研究发现,掺杂量对薄膜的磁性和结构有很大的影响.通过X射线衍射仪和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了分析,发现制备的样品中较少的掺杂显示明显的室温铁磁性并且没有Co金属存在,但是随着掺杂的增加,部分Co以微小的颗粒存在,而且在超顺磁极限之下,使薄膜的磁性受到超顺磁相的影响. 相似文献
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Fe_xPt_(100-x)薄膜的磁性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
用直流磁控溅射方法和原位退火工艺在玻璃基片上制备了FexPt100-x纳米膜.研究发现Fe含量对FePt纳米膜的磁特性有很大的影响.矫顽力和△H随Fe含量的增加而增大.当x=48时,矫顽力Hc达到了1040 kA/m,样品出现很好的有序化L10织构;△H取得最大值,颗粒间相互作用最小.FexPt1-x薄膜的矩形比S随着x的增加而增大,x>46时S值接近1,在一定程度上表明了此时读出信号强度较大;开关场分布SFD的变化情况刚好与此相反,Fe48Pt52获得的SFD值近似等于0.8,说明转变位置波动弱,来自转变的信号噪音低. 相似文献
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在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30nm)/Ti(tnm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火.详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响.X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和FePt形成了三元FePtTi合金.当Ti层厚度t=5 nm、退火温度Ta=500℃时,样品具有高度有序的L10织构、小的颗粒尺寸和优异的磁特性.矫顽力超过了6.7 kOe,饱和磁化强度为620emu/cc.并且具有较小的开关场分布.结果表明FePt/Ti颗粒膜系统可作为超高密度磁记录介质的候选者. 相似文献
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Cu覆盖层对CoCrPt颗粒膜的微结构和磁特性的影响 总被引：3，自引：1，他引：2
在室温下,应用对靶磁控溅射设备制备了系列Cu(x nm)/CoCrPt(40nm)/Cu(20nm)三明治结构的纳米颗粒膜,随后进行了原位退火.实验发现Cu覆盖层的厚度(x)对颗粒膜的微结构和磁特性有很大影响.样品垂直方向的矫顽力在x=11nm时达到最大,为138kA/m,平行于膜面方向的矫顽力基本上与x的变化无关,且所有的样品都显示出很强的垂直各向异性.退火后的CoCrPt薄膜呈六角密堆积(HCP)结构,AFM和MFM测量显示在x=11nm时,颗粒的平均粒径和磁畴尺寸均为最小.开关场分布(SFD)的测量表明,退火有效地减弱了颗粒间的交换耦合作用. 相似文献
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通过射频和直流磁控溅射方法和原位退火工艺将Fe颗粒嵌入绝缘SiO2母体中制备了系列不连续金属绝缘体多层膜样品．研究发现，热处理温度对薄膜中的磁性颗粒分布和磁性能有很大的影响．通过扫描探针显微镜对样品的微结构进行了分析，发现在400℃时形成典型的不连续多层膜结构，磁性颗粒比较均匀的分散在母体当中．样品的磁性能测量结果显示该样品具有较好的磁性能． 相似文献
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通过直流对靶反应溅射和射频反应溅射工艺制备了系列磁性金属Co掺杂TiO2薄膜样品.通过原子力显微镜和磁力显微镜研究掺杂样品的结构,利用振动样品磁强计研究系列样品的磁性能,对比不同反应溅射方法制备薄膜的性质和结构.经研究发现,射频溅射法制备的样品表面致密程度优于直流溅射法,薄膜表面十分光滑,结构致密,饱和磁化强度略强,薄膜磁性的方向各向异性明显. 相似文献
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