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Ni65Co35薄膜各向异性磁电阻性能的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
选用Ｎｉ６５Ｃｏ３５合金靶材，利用射频磁控溅射的方法成膜，采用四控针法测量磁电阻率，分别研究了溅射工艺参数（工艺气压、偏压、功率、基片温度等）对薄膜电阻性能的影响，并对影响的机理作了理论上的分析；另外还对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的热处理动力学进行了研究，求取了激活能。研究结果表明，溅射工艺参数对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的电阻力有较大的影响，适当的溅射参数能有效地提高磁电阻率；Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜退火处理后 相似文献
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