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针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管( insulated gate bipolar transistor, IGBT)温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制IGBT温升。通过MATLAB进行PID建模及参数仿真,采用电学法测试原理并结合嵌入式系统测试IGBT结温,使用PID自校准算法控制器件温升进行IGBT热疲劳测试。实验结果表明:该算法的调节方式和温度精度都达到理想的效果,改善了系统的动态性能,为IGBT寿命预测提供了一个良好的实验环境。 相似文献
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提出一种新的协议栈设计思路&&基于驱动程序的协议栈设计,在对比传统的协议栈设计方式&&基于任务的协议栈设计的基础上,说明了此种方法的优势所在,并给出了协议栈设计的基本框架 相似文献
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为研究功率MOSFET零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC),不同栅极电压对温度系数的影响,本文基于阈值电压和迁移率的温度关系并结合功率MOSFET输出特性模型,得到了随栅极电压变化而出现的三种不同温度系数。利用实际测试验证了温度系数的变化规律,结果表明:在小栅极电压条件下,线性区和饱和区均为正温度系数;随栅极电压增大,线性区先进入负温度系数,饱和区仍然为正温度系数,并因此产生了零温度系数点;随栅极电压进一步增大,线性区和饱和区都进入负温度系数。同时根据测试数据,分析了ZTC在不同栅极电压条件下随温度的变化原因,并基于测试数据讨论了迁移率随栅极电压和温度的变化关系。 相似文献
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